集成电路器件的形成方法及由该方法形成的集成电路器件技术

集成电路器件及其制造方法，选择性地腐蚀绝缘层以增加与半导体区相邻的自对准接触区域。互连图形形成在具有设置在互连图形之间的半导体区的衬底上。在成对互连图形和衬底上形成腐蚀中止层，在成对互连图形和半导体区上形成牺牲绝缘层。腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层。侧壁绝缘间隔层形成在互连图形之间的间隙区上部中的成对互连图形的侧壁部分上和覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层上。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件的形成方法及由该方法形成的集成电路器件本申请要求2000年3月17日申请的韩国专利申请No.2000-13702的权利，该申请公开的内容在此引用作为参考。本申请大致涉及集成电路器件的制造方法及由此方法形成的集成电路器件，具体涉及具有自对准接触的集成电路器件的制造方法及由此方法形成的集成电路器件。随着集成电路器件愈加高度集成并包括更细微的几何图形，互连(interconnections)之间的宽度和间距也减小。在使用光刻在互连之间的预定区域中形成接触孔时，已使用了自对准接触技术增加对准余量。参考图1,DRAM器件的单元阵列区域包括多个有源区1，有源区在半导体衬底(substrate)中形成并沿X和Y轴重复地设置。多个平行的字线图形3横越在有源区1上，一个有源区1′与两个字线图形3交叉。多个接触图形5可以用于形成自对准焊盘(pad)接触孔，并分别排列在每个有源区1的一侧上。每个接触图形5可以包括腐蚀掩模(即，光刻胶图形)，用于形成自对准接触孔。图2-3、4A、4B和5-7为图1的DRAM器件的剖面图，示出了形成自对准接触结构使用的常规方法。在每个图中，参考标号“A”和“B”分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤： 在衬底上形成一对互连图形，衬底具有设置在成对互连图形之间的半导体区； 在成对互连图形和衬底上形成腐蚀中止层；然后 在成对互连图形和半导体区上形成包括第一材料的牺牲绝缘层； 选择性地腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层； 在成对互连图形和覆盖半导体区的牺牲绝缘层的一部分之间的间隙区上部中形成包括第二材料并在成对互连图形的侧壁部分上延伸的侧壁绝缘间隔层；和 使用侧壁绝缘间隔层作为腐蚀掩模，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层，以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽。

【技术特征摘要】
KR 2000-3-17 13702/001．一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成一对互连图形，衬底具有设置在成对互连图形之间的半导体区；在成对互连图形和衬底上形成腐蚀中止层；然后在成对互连图形和半导体区上形成包括第一材料的牺牲绝缘层；选择性地腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层；在成对互连图形和覆盖半导体区的牺牲绝缘层的一部分之间的间隙区上部中形成包括第二材料并在成对互连图形的侧壁部分上延伸的侧壁绝缘间隔层；和使用侧壁绝缘间隔层作为腐蚀掩模，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层，以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽。2．如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：腐蚀腐蚀中止层的一部分，该部分通过从半导体区的表面上选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以在侧壁绝缘间隔层下面形成凹槽的部分腐蚀中止层的步骤而露出；和在成对互连图形之间形成导电焊盘，从而导电焊盘接合半导体区。3．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽的步骤包括：选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽，同时保留侧壁绝缘间隔层和衬底之间的间隙区下部的成对互连图形的侧壁部分上的牺牲绝缘层。4．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面凹槽的步骤包括：选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽，从而从侧壁绝缘间隔层和衬底之间的间隙区下部中的成对互连图形的侧壁部分上除去牺牲绝缘层。5．如权利要求1所述的方法，其特征在于，腐蚀中止层具有约200到约1000的厚度。6．如权利要求1所述的方法，其特征在于，腐蚀中止层由第二材料构成。7．如权利要求1所述的方法，其特征在于，第二材料包括氮化硅(SiN)。8．如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一材料包括选自下列材料组中的材料：高密度等离子体(HDP)氧化物、等离子体增强的原硅酸四乙脂(PE-TEOS)以及未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)。9．如权利要求1所述的方法，其特征在于，在小于约800℃的温度下进行形成牺牲绝缘层的步骤。10．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层的步骤包括：各向同性地腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层。11．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽的步骤包括：各向异性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽。12．一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤：在衬底中形成隔离层以形成存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宰求，高宽协，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]