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集成电路器件及其制造方法，选择性地腐蚀绝缘层以增加与半导体区相邻的自对准接触区域。互连图形形成在具有设置在互连图形之间的半导体区的衬底上。在成对互连图形和衬底上形成腐蚀中止层，在成对互连图形和半导体区上形成牺牲绝缘层。腐蚀牺牲绝缘层以露出在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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