电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法技术

本发明专利技术是揭露一种电可擦可编程只读存储器单无及其制造方法，形成于一半导体基板上，其主要是选用一种晶格排列方向特殊的半导体基板，并利用硅的局部氧化制造过程以于该半导体基板上形成尖点，以使电子擦除更加便利，进而降低组件的操作电压。此外，其形成的方法为自对准（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ）制造过程，因此能增加组件的集成度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体存储元件，特别是有关于一种利用硅的局部氧化制造过程(LOCOS)以形成尖点，使电子移除更为便捷的一种。电可擦可编程只读存储器(Electrical Erasable ProgrammableRead Only Memory，其后以EEPROM简称之)为现今信息电子产品所广泛采用的存储元件，一般是以浮置栅极(floating gate)晶体管结构所构成；为清楚起见，在此，请参考第1图所示现有的EEPROM单元，是设置于一硅基板10上，且于其内形成有一源极11，一漏极15，以及沟道(channel)13。在漏极15上方的硅基板10表面上方则依序为一薄氧化层(thin oxide)12，一浮置栅极14，一介电层18，以及一控制栅极(control gate)16，在控制栅极16与硅基板10的表面则形成有一氧化硅层19与场氧化层FOX，以作绝缘之用。如第1图所示，此现有的EEPROM单元是靠通过该薄氧化层12，其厚度约8~10nm的福勒-诺尔德哈姆(Fowler-Nordheim，F-N)隧道效应(tunneling effect)而进行写入程序与擦除数据的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：包括下列各项步骤：提供一半导体基板，并于该半导体基板上形成一绝缘物，而该绝缘物具有鸟嘴状的一尖端；蚀刻该半导体基板使的形成一Ｖ型凹槽，且该Ｖ型凹槽紧邻该绝缘物的该尖端；于该半导 体基板中形成互为相隔的一对源／漏极区，且这些源／漏极区中之一是包围该绝缘物的该尖端与该Ｖ型凹槽；以及于这些源／漏极间的该半导体基板上方依序形成一栅极介电层、一浮置栅极、一栅间介电层、与一控制栅极。

【技术特征摘要】
1.一种电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是包括下列各项步骤提供一半导体基板，并于该半导体基板上形成一绝缘物，而该绝缘物具有鸟嘴状的一尖端；蚀刻该半导体基板使的形成一V型凹槽，且该V型凹槽紧邻该绝缘物的该尖端；于该半导体基板中形成互为相隔的一对源/漏极区，且这些源/漏极区中之一是包围该绝缘物的该尖端与该V型凹槽；以及于这些源/漏极间的该半导体基板上方依序形成一栅极介电层、一浮置栅极、一栅间介电层、与一控制栅极。2.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是尚包括蚀刻该半导体基板使成另一V型凹槽，其紧邻该绝缘物的另一尖端，且这些源/漏极区中的另一者是包围该绝缘物的该另一尖端与该另一V型凹槽。3.权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是在形成这些源/漏极区之后，更包括移除该绝缘物。4.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是该栅极介电层的材质为硅氧化物。5.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是该栅间介电层的材质为氧化层/氮化层/氧化层。6.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是其中，该半导体基板是晶格排列方向为(100)的硅基板。7.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是其中该绝缘物为以局部氧化法所形成的鸟嘴型硅氧化物。8.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是其中，该V型凹槽尖点的角度约为70....

【专利技术属性】
技术研发人员：周国煜，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]