液晶显示装置的阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

一种透反射型液晶显示装置的阵列基板，它包括：基板，具有沟道、栅电极、源极和漏极的薄膜晶体管，薄膜晶体管上的第一钝化层，其中第一钝化层有一个暴露出漏极的第一接触孔，第一钝化层上的反射器，其中反射器位于薄膜晶体管上方，并具有一个与第一接触孔对应的开口，反射器上的第二钝化层，其中第二钝化层有一个穿过开口的第二接触孔，以及第二钝化层上的透明电极，其中透明电极有一个位于薄膜晶体管沟道上方的孔，该电极通过第一和第二接触孔与薄膜晶体管的漏极接触。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
该申请要求2001年7月18日申请的韩国专利申请第2001-42993号的权益，因此为了所有目的通过引用将其结合进来，就象在此作了充分说明一样。因为LCD装置不发光，因此为了显示图象它需要附加光源。由此，LCD装置在液晶屏板后面有一个背光作为光源。根据液晶分子的排列控制从背光入射的光量来显示图象。每块基板的电极由透明导电材料制成，基板必需是透明的。象这样的LCD装置称为透射型液晶显示(LCD)装置。因为透射型液晶显示装置使用了诸如背光的人工光源，因此它能在黑暗环境下显示亮图象。然而，透射型LCD装置存在高能耗。已经提出了反射型液晶显示(LCD)装置来克服透射型LCD装置的能耗问题。因为反射(LCD)装置根据由所施电压决定的液晶分子排列并通过利用诸如环境光或人工光的外部光源照射出光来控制透射比，因此与透射型(LCD)装置相比，该反射型LCD装置能耗低。下基板的电极由导电材料制成，其具有高反射性，而上基板的电极由透明导电材料制成，它可透射入射光线。另一方面，反射型LCD装置包括一个作为开关元件的薄膜晶体管。因为非晶硅能于低温下在大面积范围内均匀设置，因此它广泛用作薄膜晶体管的有源层。然而，非晶硅对可视光非常敏感。也就是说，当光被吸收到薄膜晶体管的有源层中后，由于被吸收的光导致的漏电流会在薄膜晶体管内流动。在LCD装置中该漏电流引起不希望有的信号，由此薄膜晶体管不能正确地用作开关元件。因此，在与具有薄膜晶体管的基板相对的基板上面向薄膜晶体管设置黑底层(black matrix)，其可以掩蔽薄膜晶体管不受光影响。然而，通过黑底层很难彻底掩蔽住光，这是因为实现黑底层与薄膜晶体管的精确布置是很不容易的。如果完全将光掩蔽掉，考虑到排列余量，黑底层的尺寸应当大于薄膜晶体管的尺寸。因此，这降低了LCD装置的孔径比。为了解决以上问题，已经建议了各种结构的反射型LCD装置的阵列基板。下面将参照附图说明图1详细描述传统反射型LCD装置的阵列基板的例子。图1表示传统的反射型LCD装置阵列基板的截面图。在图1中，在基板1上设置了薄膜晶体管“T”，该晶体管包括栅电极4、有源层8、源极12和漏极14。在源极12和漏极14之间暴露出的有源层8是薄膜晶体管“T”的沟道“CH”。基板1由诸如玻璃的绝缘材料制成。在薄膜晶体管“T”上设置了钝化层16。钝化层16由有机材料或无机材料制成，这些有机材料例如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂，而无机材料例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)。钝化层16有一个接触孔18，该孔暴露出一部分漏极14。在钝化层16上设置了反射电极20。反射电极20通过接触孔18与漏极14相接触。反射层20既用作驱动液晶分子的电极又用作反射入射光的反射器。在此，反射电极20覆盖了薄膜晶体管“T”，因此入射光不会到达薄膜晶体管“T”的沟道“CH”。另外因为反射区域变得更宽，因此提高了LCD装置的亮度。然而，当向反射电极20施加电压时，反射电极20作用类似另一个栅电极。因此，薄膜晶体管“T”由于双重栅极现象而不能正常工作。为了解决该问题，在美国专利第5500750号提出了一种反射型LCD装置的阵列基板结构。图2是表示美国专利第5500750号中示出的传统反射型LCD装置的一部分阵列基板的截面图。在此，为与图1传统阵列基板的部件相同的部件赋予与图1中使用的参考标记相同的参考标记。在图2中，为了掩蔽沟道“CH”不受光影响，在薄膜晶体管“T”的正上方设置了与反射电极20电绝缘的光掩蔽膜22。由于光掩蔽膜22与反射电极20不相连，因此在光掩蔽膜22中不会产生电荷，在光掩蔽膜22和薄膜晶体管“T”之间也不会感生出电场。由此薄膜晶体管“T”能够正常工作。然而，为了光掩蔽膜22将不与反射电极20相连，在光掩蔽膜22与反射电极20之间应当存在一定间隙。间隙宽度应当至少超过4um，这是传统上的最小值。因此，由于间隙尺寸而降低了传统反射型LCD装置的孔径比。另外，因为反射型LCD装置依赖外部光源，因此它不能用在黑暗的地方。本专利技术的一个优点是提供这样一种透反射型液晶显示装置的阵列基板，其既可以用于透射模式也可以用于反射模式，且在薄膜晶体管内没有漏电流产生。本专利技术的另一个优点是提供一种反射型液晶显示装置的阵列基板，其在薄膜晶体管中不产生漏电流。本专利技术的另一优点是提供一种在薄膜晶体管中不产生漏电流的透反射液晶显示装置阵列基板的制造方法。本专利技术的再一优点是提供一种薄膜晶体管中不产生漏电流的反射型液晶显示装置阵列基板的制造方法。在下面的描述中将阐述本专利技术的其它特征和优点，由这些描述会使其变得更明白，或者可通过实践本专利技术来学到这些特征和优点。通过书面描述及其权利要求以及所附附图中具体指出的结构能够实现并得到本专利技术的目的和其他优点。正如所暗含和大体描述的，为了实现依照本专利技术目的的这些和其它优点，液晶显示装置的阵列基板包括基板，基板上的具有沟道、栅电极、源极和漏极的薄膜晶体管，薄膜晶体管上的第一钝化层，其中第一钝化层有一暴露出漏极的第一接触孔，第一钝化层上的反射器，其中反射器位于薄膜晶体管上方，其有一个与第一接触孔对应的开口，反射器上的第二钝化层，其中第二钝化层有一个穿过开口的第二接触孔，以及第二钝化层上的透明电极，其中透明电极有一个位于薄膜晶体管沟道上方的孔，该电极通过第一和第二接触孔与薄膜晶体管的漏极接触。在本专利技术的另一方面中，用于制造液晶显示装置阵列基板的方法包括在基板上设置控制线和栅电极，在控制线和栅电极上设置栅极绝缘体，在栅极绝缘体上设置有源层，在有源层上设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置数据线、源极和漏极，其中源极和漏极之间的有源层是薄膜晶体管的沟道，在数据线、源极和漏极上设置第一钝化层，其中第一钝化层有一个暴露出漏极的第一接触孔，在第一钝化层上设置反射器，其中反射器覆盖了薄膜晶体管的沟道，其具有一个与第一接触孔对应的开口，在反射器上设置第二钝化层，其中第二钝化层有一个穿过开口的第二接触孔，以及在第二钝化层上设置透明电极，其中透明电极有一个位于沟道上方的孔。可以理解的是，前述大概描述和以下详细描述都是示范性和说明性的，其试图提供所要求的本专利技术的进一步解释。在附图中图1是相关技术中反射型液晶显示装置的阵列基板的截面图；图2是另一相关技术中反射型液晶显示装置的阵列基板的截面图；图3是依照本专利技术实施例的透反射液晶显示装置的阵列基板的平面图；图4是沿图3的剖面线IV-IV剖开的截面图；图5是在透明电极覆盖薄膜晶体管的情况下感生出电场的视图；图6A到6D是表示依照本专利技术的透反射液晶显示装置阵列基板的制造过程的截面图；图7是依照本专利技术另一实施例的透反射液晶显示装置阵列基板的截面图；图8是依照本专利技术另一实施例的阵列基板的平面图；以及图9是沿图8的剖面线IX-IX剖开的截面图。图3是依照本专利技术一个实施例的透反射液晶显示(LCD)装置阵列基板的平面图，图4是沿图3的剖面线IV-IV剖开的截面图。图3和图4中，在基底100上设置了栅电极102和控制线104。控制线104在图的范围内水平延伸，栅电极102与控制线104相连。栅绝缘体106覆盖了栅电极102和控制线104，活性层108设置在栅绝缘层106上。在活性层108上形成了掺杂非晶硅的欧姆接触层11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置的阵列基板，其包括： 基板； 基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管具有沟道、栅电极、源极和漏极； 薄膜晶体管上的第一钝化层，第一钝化层有一个暴露出漏极的第一接触孔； 第一钝化层上的反射器，反射器位于薄膜晶体管上方，其具有与第一接触孔对应的开口； 反射器上的第二钝化层，第二钝化层具有一穿过开口的第二接触孔；以及 第二钝化层上的透明电极，透明电极有一个位于薄膜晶体管沟道上方的孔，该电极通过第一和第二接触孔与薄膜晶体管的漏极接触。

【技术特征摘要】
KR 2001-7-18 P-2001-429931. 一种液晶显示装置的阵列基板，其包括基板；基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管具有沟道、栅电极、源极和漏极；薄膜晶体管上的第一钝化层，第一钝化层有一个暴露出漏极的第一接触孔；第一钝化层上的反射器，反射器位于薄膜晶体管上方，其具有与第一接触孔对应的开口；反射器上的第二钝化层，第二钝化层具有一穿过开口的第二接触孔；以及第二钝化层上的透明电极，透明电极有一个位于薄膜晶体管沟道上方的孔，该电极通过第一和第二接触孔与薄膜晶体管的漏极接触。2. 根据权利要求1所述的阵列基极，其中反射器和第一钝化层中分别有第一透光孔和第二透光孔。3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其进一步包括基板上的栅绝缘层，栅绝缘层覆盖了栅电极。4. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中第二钝化层具有一个与第一和第二透光孔对应的第三透光孔。5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其中透明电极通过透光孔与基板接触。6. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中反射器与透明电极电绝缘。7. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中反射器包括铝和铝钕合金中的一种。8. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中第一钝化层包括苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂中的一种。9. 根据权利要求1所述的阵列基板，其进一步包括控制线和数据线，控制线与数据线彼此...

【专利技术属性】
技术研发人员：河京秀，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]