【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用在半导体集成电路器件的设计的。
技术介绍
例如，近年来，在MIS型半导体集成电路等的LSI领域，随着半导体元件图案的精细化，高集成化及半导体元件动作的高速化的发展，集成电路所要求的设计式样也就多样而且复杂起来。为了满足各种集成电路的设计式样，在设计的各要素电路机能的验证，或者是集成电路整体动作的验证中进行仿真。这种情况下，抽出表示MIS晶体管特性的参数，利用这些参数预测MIS晶体管的动作。通常，为了得到使用于上述参数抽出的MIS晶体管特性的实测数据，使用尺寸(栅极长L及栅极宽W)不同的数种以上的MIS晶体管所制成的半导体晶片。具体地讲，测定这个晶片上的MIS晶体管的主要特性，基于其电特性抽出MIS晶体管的特性。有关以前用于电路仿真的参数，参照图进行详细的叙述。图12，是表示在特定的MIS晶体管上施加漏极电压(Vd；或者是源极-漏极之间的电压)和栅极电压Vg，测定的漏极电压的结果的图。从同图所示的观测结果可知，对应于各栅极电压Vg(Vg1、Vg2、Vg3)各可以描出一条漏极电流(Id)-漏极电压(Vd)曲线。在此，将在适当的步骤改变Id、V...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路仿真方法，其特征为包括从集成电路的光罩平面布置图数据去认识包括在上述集成电路的电子元件的形状，取得上述电子元件的尺寸数据的步骤(a)；测量实测用电子元件的电气特性和测量成为包括加在上述电子元件上的应力指标的事项的上述实测用电子元件各部分的尺寸的步骤(b)；从在上述步骤(b)所测量的实测用电子元件的电气特性数据中，至少基于上述实测用电子元件各部分的尺寸抽出参数的步骤(c)；利用电路仿真，从上述参数中选择适合于包括在上述集成电路中的上述各个电子元件的参数，进行将对在上述电子元件中应力考虑进去的电路仿真的步骤(d)。2.根据权利要求第1项所述的电路仿真方法，其特征为在上述步骤(b)中，至少测量成为从元件隔离用绝缘膜加在上述电子元件上的应力的应力指标的事项；在上述步骤(d)中，进行考虑了从元件隔离用绝缘膜加在上述电子元件的应力的电路仿真。3.根据权利要求第1项所述的电路仿真方法，其特征为在上述步骤(c)中，基于成为加在上述电子元件上的应力指标的事项，对于相同尺寸的上述各电子元件抽出复数个参数。4.根据权利要求第1项所述的电路仿真方法，其特征为在上述步骤(d)之前，还包括将基于由上述步骤(b)得到的成为应力指标的测量数据作成的追加模型输入到上述电路仿真的步骤；在上述步骤(d)中，在选择适合于包括在上述集成电路中的上述各电子元件的参数的时候，加上根据由上述追加模型作出的补正。5.根据权利要求第1项～第4项中任何一项所述的电路仿真方法，其特征为在上述步骤(d)之前，还包括基于成为加在上述电子元件上的应力指标的事项，作成包括让上述集成电路中的上述各电子元件和...
【专利技术属性】
技术研发人员：关户真策，大谷一弘，佐原康之，中田和久，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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