膜结构制造技术

用波长为１００－２００ｎｍ的光进行光刻制图方法用的膜结构，它具有由以下含氟聚合物（Ａ）制成的薄膜： 含氟聚合物（Ａ）：一种基本线型的含氟聚合物，在其主链上有脂环结构，主链由碳原子组成，并符合下列要求（１）和（２）： （１）主链上的碳原子包含连有至少一个氢原子的碳原子和不连氢原子的碳原子； （２）在用高分辨率核磁共振波谱进行测量时，基于总氢原子数，在大于２．８ｐｐｍ的高磁场区出现的信号的氢原子个数至多为６ｍｏｌ％。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及应用100-200nm波长的光进行光刻法中用的膜结构。
技术介绍
膜结构应用在半导体器件和液晶显示板的生产中的步骤光刻中，它是安装在光刻掩模和收缩掩模版(以下称为掩模)上的完整防尘装置，以防止灰尘颗粒堆积在掩模上，防止样品在曝光过程中发生失效。通常，它有一个结构，是透明的薄膜通过一种胶粘剂粘附在一框子上，它装在掩模表面上，与掩模表面有一定距离。这种膜结构应用在在半导体器件和液晶显示板的生产领域里。随着配线和配线之间的间距的缩小，光刻中使用的光源的波长也在迅速的缩短。传统的曝光工艺中，主要采用i束光源(365nm)，最小图案尺寸在至少0.3μm，作为膜结构的透明薄膜材料(以下称为膜)，采用的是纤维素硝酸酯型的材料。近年来，由于光刻制图法工艺中最小图案尺寸小于0.3μm，一种KRf准分子激光正被引用，但是它的辐射波长是248nm，这个纤维素硝酸酯型的材料耐用性不够。此外，已经发现一种无定形全氟化聚合物在短波长的光，例如准分子激光作用下是一种有效的膜(日本专利2951337号和日本专利2952962号)。另外，近几年发展的最小图案尺寸不超过0.2μm的光刻法工艺中，已提议使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用波长为100-200nm的光进行光刻制图方法用的膜结构，它具有由以下含氟聚合物(A)制成的薄膜含氟聚合物(A)一种基本线型的含氟聚合物，在其主链上有脂环结构，主链由碳原子组成，并符合下列要求(1)和(2)(1)主链上的碳原予包含连有至少一个氢原子的碳原子和不连氢原子的碳原子；(2)在用高分辨率核磁共振波谱进行测量时，基于总氢原子数，在大于2.8ppm的高磁场区出现的信号的氢原子个数至多为6mol％。2.用波长为100-200nm的光进行光刻制图方法用的膜结构，它包括薄膜、支撑薄膜的框和把薄膜和框子粘合起来的胶粘剂，这种胶粘剂由下面的含氟聚合物(A)制成含氟聚合物(A)一种基本线型的含氟聚合物，在其主链上有脂环结构，主链由碳原子组成，并符合下列要求(1)和(2)(1)主链上的碳原子包含连有至少一个氢原子的碳原子和不连氢原子的碳原子，(2)在用高分辨率核磁共振波谱进行测量时，基于总氢原子数，在大于2.8ppm的高磁场区出现的信号的氢原子个数至多为6mol％。3.用波长为100-200nm的光进行光刻制图方法用的膜结构，它包括薄膜、支撑薄膜的框子和把薄膜和框子粘合起来的胶粘剂，所述薄膜和胶粘剂由下面的含氟聚合物(A)制成含氟聚合物(A)一种基本线型的含氟聚合物，在其主链上有脂环结构，主链由碳原子组成，并符合下列要求(1)和(2)(1)主链上的碳原子包含连有至少一个氢原子的碳原子和不连氢原子的碳原子，(2)在用高分辨率核磁共振波谱进行测量时...

【专利技术属性】
技术研发人员：松仓郁生，代田直子，对马奈奈，山本清，柿田玲子，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：