具有稳定开关特性的单电子晶体管制造技术

具有稳定开关特性的单电子晶体管涉及一种以非晶纳米颗粒作为库仑岛的单电子管。该晶体管由漏极１、源极２、门极３和库仑岛５组成，其特征在于库仑岛５采用非晶纳米颗粒，位于源极和漏极之间，并与两边的源极１、漏极２分别以隧道结隔开。利用能级量子化受抑制的非晶纳米颗粒，例如非晶Ｐｄ纳米颗粒，作库仑岛，从而可以避免普通晶态金属、半导体纳米颗粒或单分子作库仑岛时其内部分立能级引起的不稳定性。这种非晶单电子管可以直接利用已有的制备单电子管技术，即纳米电极对和自组装技术，具有可行性和器件性能稳定性改进的优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子技术中用作开关的单电子晶体管，特别是涉及一种以非晶纳米颗粒作为库仑岛的单电子管。
技术介绍
自从1947年晶体管专利技术以来，晶体管的尺寸不断减小，开关速度不断提升。但是随着晶体管的尺寸不断减小当达到纳米尺度时，量子效应在器件工作时变得越来越重要。即到了介观尺度，会出现许多宏观体系中没有的新的物理现象。传统的基于经典物理的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET即metallic oxide semiconductor fieldeffect transistor)不能再正常工作。为了解决这一问题，1985年当时在莫斯科大学的Dmitri Averin和Konstantin Likharev提出了一种新的基于双隧道结结构中的单电子隧穿现象的三极电子器件单电子管(SET即single-electron transistor)的设计思路(参见Single Charge Tunneling，edited by H.Grabert and M.H.Devoret(Plenum，NewYork，1992))。单电子管的核心部件是隧道结之间的库仑岛。为了得到室温下工作的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有稳定开关特性的单电子晶体管，由漏极（１）、源极（２）、门极（３）和库仑岛（５）组成，其特征在于库仑岛（５）采用非晶纳米颗粒，位于源极和漏极之间，并与两边的源极（１）、漏极（２）分别以隧道结隔开。

【技术特征摘要】
1.一种具有稳定开关特性的单电子晶体管，由漏极(1)、源极(2)、门极(3)和库仑岛(5)组成，其特征在于库仑岛(5)采用非晶纳米颗粒，位于源极和漏极之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁山，卢威，王兵，王海千，王晓平，侯建国，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]