【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件测试
，特别涉及一种MOS器件电压电流特性曲线的仿真方法。
技术介绍
随着半导体器件制造技术的飞速发展，在半导体集成电路中具有大量的绝缘栅极场效应晶体管(以下简称MOS晶体管)。沟道的长度影响器件的运行速度，随着集成电路的集成密度不断提高，MOSFET器件的沟道长度不断减小，目前已采用深亚微米的范围的短沟道MOSFET。通过比较沟道长度与漏衬pn结空间电荷区厚度来区分长和短，当二者为同一数量级时，该器件称为短沟道器件，输入输出器件通常为短沟道器件。半导体集成电路的设计需要准确地获得每个MOS晶体管栅极电压和漏极电流的关系特性曲线。用户根据单个MOS晶体管的电流电压特性计算整个电路的功耗等参数。因此在仿真模型的建立过程中，准确反映MOS晶体管电压-电流特性是非常重要的。仿真模型不仅对半导体器件质量，对半导体器件生产方的质量控制和用户的验收使用亦非常重要。在半导体技术飞速发展的今天，半导体企业的器件生产无论在品种和数量上都具有相当的规模，因此要得到准确的仿真模型来反映实际的器件特性相对更加困难。申请号为98100425的中国专利中描述...
【技术保护点】
一种ＭＯＳ晶体管特性曲线仿真方法，包括下列步骤：ａ．建立ＭＯＳ晶体管数学模型，生成仿真曲线；ｂ．添加补偿电阻网络；ｃ．拟合仿真曲线与实测曲线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏鼎杰，刘丕均，何佳，朱辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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