一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法技术

本发明专利技术涉及一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法，设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数，实现完整的器件模型；进行半导体特性数值计算，求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程，获取器件的电学特征曲线；开展单粒子效应器件模型关键电学参数校准，使器件电学符合理论预期；所述关键电学参数包括晶体管转移特性曲线和存储器延迟特性曲线。本发明专利技术提出了基于数值计算的单粒子效应截面获取方法，可以定位单粒子效应错误的位置，可以实现器件的布线、尺寸与器件工艺参数与单粒子效应敏感性的关系，可以在设计阶段就实现单粒子效应性能的验证。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单粒子效应评估方法，特别是涉及，属于微电子
、抗辐射加固

技术介绍
随着微电子技术的不断发展，电子自动化设计工具不断成熟，并成为集成电路研发的先决条件之一。其中集成电路制造与加工的模拟技术是以实际制造过程为依据建立响应的数学物理模型，将工艺、器件的物理特性等仿真分析集成一体。工艺与器件仿真技术已经成为IC制造工艺分析的核心手段。单粒子效应是指高能带电粒子在穿过微电子器件时，在器件内部敏感区产生电子-空穴对，这些电荷被灵敏器件电极收集后，造成器件逻辑状态的非正常改变或器件损坏。由于这种效应是单个粒子作用的结果，因此称为单粒子效应或单粒子事件。空间辐射环境中的高能质子、中子、α粒子、重离子等都能导致航天器电子系统中的半导体器件发生单粒子效应，严重影响航天器的可靠性和寿命。除了空间高能粒子以外，各种核辐射、电磁辐射环境也是造成单粒子效应的重要原因。在空间辐射环境下工作的半导体器件单粒子效应对航天系统的可靠性有重要影响。单粒子效应却表现得更严重，以往大尺寸器件中不明显的效应，例如单粒子多位翻转、 单粒子硬损伤等也突出成为新的损 伤机制。单粒子效应是空间应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法，其特征在于：包括以下步骤：S1】设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数，实现完整的器件模型；S2】进行半导体特性数值计算，求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程，获取器件的电学特征曲线；所述扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程如下所示：ϵ▿2ψ=-q(p-n+ND+-ND-)∂n∂t=Gn-Rn+1q▿·Jn,∂p∂t=Gp-Rp-1q▿·JpJ→n=qn&mu...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭红霞，张科营，罗尹虹，赵雯，闫逸华，王园明，张凤祁，郭晓强，丁李丽，王忠明，王燕萍，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：