【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体器件的制作，尤其是涉及到多晶硅背栅绝缘体上硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制作方法，在此种晶体管中多晶硅背栅控制前栅器件的阈值电压。本专利技术也涉及到其他元件中含有多晶硅背栅来控制器件阈值电压的背栅SOI MOSFET器件。
技术介绍
对于低功率绝缘体上硅(SOI)CMOS器件的设计，同时降低供电电压和阈值电压而不损失性能，最终将达到减小恢复时间的极限，因为静态功耗已变为总的功率表达式中的重大部分。为了满足在电路/系统运行期间的高性能和电路/系统闲置期间的低功耗的相反要求，需要一种动态阈值电压控制方案。SOI金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)有两种工作模式1)沟道区完全耗尽，和2)沟道区部分耗尽。在常规的强全耗尽型SOI器件中，硅膜厚度一般小于或等于体器件耗尽区宽度的一半。前、后界面的表面势彼此强耦合，而且经过前栅介电层和氧化物埋层分别与前栅和衬底电容耦合。因此，硅膜中的电势，因而其电荷，由前栅和衬底二者的偏置条件来确定。将衬底换成背栅，就变成双栅器件。全耗尽设计对于SOI器件是独特的，因为前栅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅金属氧化物场效应晶体管器件包含在氧化层上的离子注入背栅区，其中在所述离子注入背栅区的表面部分上制作有背栅氧化物；在所述背栅氧化物上的本体区；在所述本体区表面部分上的栅介电层；以及在部分所述栅介电层上的多晶硅栅。2.权利要求1的SOI MOSFET器件还包含在所述本体区某些部分之下的背栅STI区。3.在权利要求1的SOI MOSFET器件中，所述本体区还包含源/漏区和源/漏扩展区。4.在权利要求1的SOI MOSFET器件中，所述多晶硅栅还包括其侧壁上的间隔层。5.权利要求1的SOI MOSFET器件还包含在部分所述本体区上的突起源/漏区。6.权利要求1的SOI MOSFET器件还包含在部分所述本体区和多晶硅栅上的硅化物区。7.权利要求1的SOI MOSFET器件还包含包住所述多晶硅栅的介电材料。8.在权利要求7的SOI MOSFET器件中，所述介电材料包含填充接触孔的导电材料。9.在权利要求1的SOI MOSFET器件中，所述离子注入背栅起着多晶硅栅阈值控制系统的作用。10.一种绝缘体上硅金属氧化物场效应晶体管器件的制作方法包含以下步骤提供一种结构，在含硅层上至少包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·H·丹纳德，维尔弗理德·E·何恩什，哈赛恩·I·汉纳非，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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