【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感
，特别是一种对气压具有敏感效应的掺杂碳膜/硅异质结新材料，其具体属于在抛光的(100)硅基片上用磁控溅射的方法制备的一种具有气压敏感效应的碳/硅异质结新材料。该异质结材料的电阻随气压的变化而明显变化。
技术介绍
气压传感器是传感技术应用的重要方向之一，在许多生产、生活领域有着广泛的应用。气压传感器的设计通常是先选择(或制备)一种气压敏感材料，然后围绕该气压敏感材料设计压强传感电容器。所选的气压敏感材料通常是一些易发生形变的高分子材料或金属薄膜材料。这些材料随外部气压变化而发生形变，从而改变电容器两极板间的距离，进而改变电容器的电容，起到气压传感的作用。近年来，气压传感器的发展主要体现在空压盒传感器、硅压力传感器和微机械电子系统传感器三类传感器上。空压盒类传感器的缺点是体积较大，很难实现传感器的微型化集成化。通常意义上的硅压力传感器的体积相对较小、精度高，但其昂贵的价格、复杂的制备工艺限制了其大规模生产和应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种制备气压敏感器的新材料。本专利技术的目的是这样实现的，在一块0.5～1.0mm厚的抛光的(100)硅基片上，用磁控溅射的方法溅射一层碳薄膜或掺杂碳薄膜，制成碳/硅异质结新材料，该薄膜为类金刚石薄膜，厚度为20～200nm。本专利技术所述的碳/硅异质结新材料有显著的气压敏感特性，就是在不同的气压下，它的电阻值有着明显的不同，即该材料有特殊的电阻-气压特性，因而可用来制造新的气压传感器。本专利技术所述的具有明显气压敏感效应的掺杂薄膜/硅异质结材料的制备方法是通过以下步骤(1)取纯度为99.9...
【技术保护点】
一种具有气压敏感效应的碳／硅异质结新材料，其特征是，在一块０．５～１．０ｍｍ厚的抛光硅基片上，溅射一层类金刚石碳薄膜，薄膜的厚度为２０～２００ｎｍ。
【技术特征摘要】
1.一种具有气压敏感效应的碳/硅异质结新材料，其特征是，在一块0.5～1.0mm厚的抛光硅基片上，溅射一层类金刚石碳薄膜，薄膜的厚度为20～200nm。2.依据权利要求1所述的具有气压敏感效应的碳/硅异质结新材料，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛庆忠，郝兰众，高熙礼，李群，郑庆彬，
申请(专利权)人：中国石油大学华东，
类型：发明
国别省市：37
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