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一种绝缘体上硅金属氧化物场效应晶体管器件包含：　　　　在氧化层上的离子注入背栅区，其中在所述离子注入背栅区的表面部分上制作有背栅氧化物；　　　　在所述背栅氧化物上的本体区；　　　　在所述本体区表面部分上的栅介电层；以及　　　　在部分所述栅介...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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