半导体器件的生产方法技术

一种用于生产半导体器件的方法，包括以下步骤：　　　　在一个具有晶体结构的势垒膜上非外延式生长第一导电膜；　　　　在第一导电膜上形成第二导电膜；以及　　　　加热第一导电膜和第二导电膜，使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，并且特别涉及一种具有高应力迁移(SM)阻力的。
技术介绍
传统上，主要采用铝作为硅半导体衬底上形成的LSI电路的布线材料。另一方面，近年来，随着半导体集成电路集成度的增加和处理速度的提高，作为布线材料，铜正得到越来越多的注意，因为与铝比较，铜具有较低的电阻和较高的电迁移(EM)阻力。此外，已经采用电解电镀法作为形成铜膜的方法，因为这种方法能够利用铜膜容易和充分地填满沟或孔。图6A至图6D是说明半导体器件常规生产方法的截面图。特别地，这些图说明形成铜线的常规方法的各个步骤。首先，如图6A所示，在一个其上形成一个半导体元件(未示出)的半导体衬底1上，形成第一绝缘膜2，它包括埋置在其中的第一铜线3。然后，在第一绝缘膜2上形成第二绝缘膜4。其后，在第二绝缘膜4中，形成孔5，以便到达第一铜线3，并且形成线沟6，与孔5连通。其次，如图6B所示，通过在包括孔5和线沟6的底和壁的第二绝缘膜4的整个表面上进行溅射，顺次地形成一个具有约30nm厚度的钽(Ta)势垒膜7，和一个具有约150nm厚度的铜(Cu)籽晶层8。其次，如图6C所示，用电解电镀法淀积铜膜9，以便完全填满孔5和线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于生产半导体器件的方法，包括以下步骤在一个具有晶体结构的势垒膜上非外延式生长第一导电膜；在第一导电膜上形成第二导电膜；以及加热第一导电膜和第二导电膜，使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。2.根据权利要求1的方法，其中生长第一导电膜的步骤包括用物理汽相淀积法或化学汽相淀积法形成第一导电膜的步骤。3.根据权利要求1的方法，其中形成第一导电膜的步骤包括淀积第一导电膜，以及将第一导电膜的厚度设置为等于或小于第一导电膜和第二导电膜总厚度的1/4。4.根据权利要求1的方法，其中形成第一导电膜的步骤包括淀积第一导电膜，以及将第一导电膜的厚度设置为等于或小于120nm。5.根据权利要求1的方法，其中第一导电膜和第二导电膜各自由铜或主要含铜的金属形成。6.根据权利要求1的方法，其中第三导电膜的电阻率等于或小于1.9μΩ·cm。7.根据权利要求1的方法，其中在第一导电膜和第二导电膜成为一体之前，包括第一导电膜和第二导电膜的分层膜的电阻率等于或大于2.2μΩ·cm。8.根据权利要求1的方法，其中生长第一导电膜的步骤是在等于或低于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尾秀司，原田刚史，二井一志，岸田刚信，池田敦，辻和则，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：