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一种用于生产半导体器件的方法，包括以下步骤：　　　　在一个具有晶体结构的势垒膜上非外延式生长第一导电膜；　　　　在第一导电膜上形成第二导电膜；以及　　　　加热第一导电膜和第二导电膜，使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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