半导体器件结构及其制造方法技术

一种半导体器件结构，包括：　　　　至少第一和第二场效应晶体管，形成于一个衬底上；　　　　所述第一场效应晶体管包括具有第一宽度的第一间隔壁；　　　　所述第二场效应晶体管包括具有第二宽度的第二间隔壁；以及　　　　所述第一宽度与所述第二宽度不同。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件结构，并且特别涉及形成于同一衬底上的场效应晶体管(FET)器件结构，及其制造方法。
技术介绍
在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中，优化NFET和PFET器件以实现所需的CMOS性能。因此，对NFET和PFET器件使用极不相同的杂质种类。这些种类具有极不相同的物理性质，诸如扩散速率和最大活化浓度。在传统的CMOS技术中，NFET和PFET通常采用相同的间隔壁工艺和技术。为了优化CMOS性能，间隔壁通常具有最大化的宽度，并且设计为在NFET与PFET的性能之间实现平衡。例如，若将砷和硼分别用作NFET和PFET的源极/漏极杂质，公知越窄的间隔壁对于NFET越好，而越宽的间隔壁对于PFET越好，因为砷扩散得比硼慢得多。在此情况下，PFET是一个限制因素。因此，所有间隔壁的最大宽度为PFET而优化，兼顾NFET的性能。例如，参见美国专利第5547894号(1996年8月20日授予Mandelman等人，名为“CMOS Processing with Low and High-Current FETS”)；美国专利第4729006号(1988年3月1日授予Da本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件结构，包括至少第一和第二场效应晶体管，形成于一个衬底上；所述第一场效应晶体管包括具有第一宽度的第一间隔壁；所述第二场效应晶体管包括具有第二宽度的第二间隔壁；以及所述第一宽度与所述第二宽度不同。2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一场效应晶体管为NFET而所述第二场效应晶体管为PFET。3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一宽度小于所述第二宽度。4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构为变极器。5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构包括一宽度转变区域，该区域近似位于所述晶体管之间的中间区域。6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一间隔壁为I形而所述第二间隔壁具有L形部分。7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一间隔壁为I形，并且所述I形间隔壁的宽度(W1)被最小化以增大NFET的电流。8.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯家馨，珀西·V·吉尔伯特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：