温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件结构，包括：　　　　至少第一和第二场效应晶体管，形成于一个衬底上；　　　　所述第一场效应晶体管包括具有第一宽度的第一间隔壁；　　　　所述第二场效应晶体管包括具有第二宽度的第二间隔壁；以及　　　　所述第一宽度与所述第二宽度不同。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。