多晶硅的蚀刻方法技术

一种多晶硅的蚀刻方法，该方法包括以下步骤：　　　　制备半导体基片，该基片具有在所述基片的一个主表面上形成的带有凸起的绝缘膜和沉积在所述绝缘膜上并覆盖所述凸起的多晶硅层；　　　　在所述多晶硅层上形成抗蚀层，所述抗蚀层具有不覆盖至少一部分所述凸起侧壁的预定图形；　　　　利用ＨＢｒ和Ｃｌ↓［２］的混合气体并以所述抗蚀层作为掩模，来实施蚀刻所述多晶硅层的第一等离子蚀刻工艺，以便留下具有与所述抗蚀层对应的图形的所述多晶硅层，并且由部分所述多晶硅层形成的多晶硅残留物遗留在所述凸起侧壁上；以及　　　　利用ＨＢｒ这一种气体并以所述抗蚀层作为掩模，来实施去除多晶硅残留物的第二等离子蚀刻工艺。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，该方法适用于制造半导体设备例如具有多层栅电极结构或层叠的电容器电极结构的半导体存储器。
技术介绍
已知，电可擦可编程序的只读存储器(EEPROM)和快闪存储器是具有多层栅电极结构的半导体存储器。还已知，动态随机存取存储器(DRAM)是具有层叠的电容器电极结构的半导体存储器。在制造这些存储器的工艺中，要求精确地蚀刻并形成所沉积的多晶硅层图形，该多晶硅层覆盖具有大约0.3μm的垂直侧壁的凸起。在满足这些要求的常规多晶硅蚀刻方法中，将高密度的等离子蚀刻工艺分成第一和第二步骤。在第一步骤，在2-8m Torr的低压下利用HBr、Cl2和O2的混合气体有选择地蚀刻多晶硅层。在第二步骤，在20-40m Torr的高压下利用HBr和O2的混合气体蚀刻多晶硅残留物(该方法被称作第一种常规方法。例如，参照日本专利公报第2,822,952号专利)。在另一种常规的多晶硅蚀刻方法中，利用HBr、Ar和O2的混合气体通过反应离子蚀刻而有选择地蚀刻多晶硅层(该方法被称作第二种常规方法。例如，参照日本专利公报第3,088,178号专利)。在又一种常规的多晶硅蚀刻方法中，在第一各向异性蚀刻步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多晶硅的蚀刻方法，该方法包括以下步骤制备半导体基片，该基片具有在所述基片的一个主表面上形成的带有凸起的绝缘膜和沉积在所述绝缘膜上并覆盖所述凸起的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成抗蚀层，所述抗蚀层具有不覆盖至少一部分所述凸起侧壁的预定图形；利用HBr和Cl2的混合气体并以所述抗蚀层作为掩模，来实施蚀刻所述多晶硅层的第一等离子蚀刻工艺，以便留下具有与所述抗蚀层对应的图形的所述多晶硅层，并且由部分所述多晶硅层形成的多晶硅残留物遗留在所述凸起侧壁上；以及利用HBr这一种气体并以所述抗蚀层作为掩模，来实施去除多晶硅残留物的第二等离子蚀刻工艺。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木民人，
申请(专利权)人：雅马哈株式会社，
类型：发明
国别省市：