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一种多晶硅的蚀刻方法，该方法包括以下步骤：　　　　制备半导体基片，该基片具有在所述基片的一个主表面上形成的带有凸起的绝缘膜和沉积在所述绝缘膜上并覆盖所述凸起的多晶硅层；　　　　在所述多晶硅层上形成抗蚀层，所述抗蚀层具有不覆盖至少一部分所述凸...
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