具有半导体薄膜的半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置（１００），包括：　　　　衬底（１０１），其具有至少一个端子（１０７ａ）；　　　　包括至少一个半导体器件（１０５）的半导体薄膜（１０４），该半导体薄膜（１０４）被布置并接合在衬底（１０１）上；和　　　　作为导电薄膜形成的单独互连线（１０６），其从半导体薄膜（１０４）内的半导体器件（１０５）延伸至衬底（１０１）内的端子（１０７ａ），电连接半导体器件（１０５）至端子（１０７ａ）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用在例如电子照相打印机中的发光二极管(LED)打印头中的半导体装置。
技术介绍
参考图45，常规LED打印头900包括电路板901，其上安装了具有电极焊盘903(electrode pad)的多个LED阵列芯片902，和包括具有电极焊盘905的多个驱动集成电路(IC)芯片904。电极焊盘903、905通过接合线906相互连接，通过接合线906从驱动器IC芯片904提供电流给形成在LED阵列芯片902内的LED907。为得到可靠的引线接合，电极焊盘903、905必须相当大，即，一百微米见方的正方形(100μm×100μm)，LED阵列芯片902必须具有与驱动器IC芯片904(典型250-300μm)近似相等的厚度，即便是LED阵列芯片902的功能部分(LED907)具有离表面仅约5μm的深度。为满足引线接合的需要，LED阵列芯片902必须远远大于且厚于仅用于容纳LED907所必需的尺寸和厚度。这些要求提高了LED阵列芯片902的材料成本。如图46的平面图所示，可能需要将电极焊盘903以交错形式布置在每一个LED阵列芯片902上。这种布置进一步增加了芯片面积，并且由于提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置(100)，包括衬底(101)，其具有至少一个端子(107a)；包括至少一个半导体器件(105)的半导体薄膜(104)，该半导体薄膜(104)被布置并接合在衬底(101)上；和作为导电薄膜形成的单独互连线(106)，其从半导体薄膜(104)内的半导体器件(105)延伸至衬底(101)内的端子(107a)，电连接半导体器件(105)至端子(107a)。2.根据权利要求1的半导体装置(100)，进一步包括布置在半导体薄膜(104)和衬底(101)之间的导电材料层(103)，该导电材料层(103)形成在衬底(101)上，该半导体薄膜(104)与导电材料层(103)接合，由此该半导体薄膜(103)与该衬底接合。3.根据权利要求2的半导体装置(100)，其中导电材料层(103)是金属层或多晶硅层。4.根据权利要求2的半导体装置(100)，进一步包括布置在导电材料层(103)和衬底(101)之间的电介质薄膜(119)，该电介质薄膜接触导电材料层和衬底，由此该导电材料层与该衬底接合。5.根据权利要求2的半导体装置(170)，包括与导电材料层(103)接合的多个半导体薄膜(171)。6.根据权利要求2的半导体装置(100)，其中衬底(101)具有第一公共端子(102a)，半导体薄膜(104)具有电连接到第一公共端子(102a)的半导体层(104a)。7.根据权利要求2的半导体装置(200)，其中导电材料层(103)的长和宽都大于半导体薄膜(201)。8.根据权利要求1的半导体装置(100)，其中衬底(101)是其内形成有集成电路(102)的半导体衬底，端子(107a)电连接到集成电路(102)。9.根据权利要求8的半导体装置(100)，其中所述半导体薄膜(104)布置在集成电路(102)外部的衬底(101)的区域上。10.根据权利要求8的半导体装置(150)，其中半导体薄膜(104)与集成电路(102)重叠。11.根据权利要求8的半导体装置(100)，其中半导体薄膜(104)包括布置在第一阵列中的多个半导体器件(105)，所述半导体器件是该多个半导体器件之一；集成电路(102)包括布置在第二阵列中的多个驱动电路(107)，该多个驱动电路用于驱动多个半导体器件(105)；第一阵列和第二阵列具有基本相等的阵列间距；驱动电路(107)和半导体器件(105)是以面对面且成对布置的；和半导体装置(100)包括多个单独互连线(106)，该单独互连线电互连面对面且成对的半导体器件(105)和驱动电路(107)，所述单独互连线是多个单独互连线之一。12.根据权利要求11的半导体装置(100)，其中布置在第一阵列中的多个半导体器件(105)的行的方向基本上平行于布置在第二阵列中的多个驱动电路(107)的行方向。13.根据权利要求1的半导体装置(100)，其中衬底(101)包括非晶硅、单晶硅、多晶硅、化合物半导体材料、有机半导体材料和绝缘材料中的至少一种。14.根据权利要求1的半导体装置(100)，其中半导体薄膜(104)是外延生长的化合物半导体膜。15.根据权利要求14的半导体装置(100)，其中半导体薄膜(104)包括AlxGa1-xAs(0≤x≤1)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤1且0≤y≤1)、GaN、AlGaN和InGaN中的至少一个。16.根据权利要求1的半导体装置(100)，其中半导体器件(105)是发光器件、光电探测器、霍尔元件和压电器件之一，集成电路(102)包括用于驱动半导体器件的驱动电路(107)。17.根据权利要求1的半导体装置(100)，其中半导体薄膜(104)包括以每隔一定间隔布置的多个半导体器件(105)。18.根据权利要求1的半导体装置(190)，其中多个半导体薄膜(191)都布置在衬底(101)上的阵列中，每一个半导体薄膜包括一个半导体器件(105)，所述半导体薄膜是多个半导体薄膜之一。19.根据权利要求1的半导体装置(220)，其中半导体器件(105)是布置在一行中的多个半导体器件之一，衬底(101)是半导体芯片的一部分，半导体薄膜(221)有一个相邻于半导体芯片边缘(220a)的末端(221a)，和半导体薄膜(221)的所述末端位于一位置，在所述位置和半导体芯片的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：荻原光彦，藤原博之，佐久田昌明，安孙子一松，
申请(专利权)人：冲数据株式会社，
类型：发明
国别省市：