【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术的公开一般涉及用于制造集成电路器件的化学增强光致抗蚀剂，更具体地说，涉及一种提高已成像的化学增强光致抗蚀剂的分辨率的方法。在半导体集成电路的制造中，很多公知的光刻技术被用于在不同级别的集成电路芯片上制出各种功能的特征。通常，光刻术包括将涂了光致抗蚀剂的硅片的一部分曝露于光照射图形；然后将已曝光的光致抗蚀剂显影，以便选择性地保护硅片层如金属化层、氧化介电层、多硅层、硅层，等等。众所周知，光致抗蚀剂是对光照射敏感的材料，它典型地旋涂于硅片的选择层上。根据曝光时它对光照射所起的化学反应，光致抗蚀剂材料区分为正型或负型。正型光致抗蚀剂当曝露于照射时变成更易溶，因而它在显影过程中更易于被除去。与之相反，负型光致抗蚀剂当曝露于照射时通常变为难溶，因而未曝光部分仍能除去。化学增强光致抗蚀剂是应用酸催化剂反应的光致抗蚀剂。化学增强光致抗蚀剂通常含有具有酸不稳定的侧基的基础树脂、光致产酸剂、少量用于功能调整的添加剂、以及为了把光致抗蚀剂旋涂于基片上的有机溶剂。化学增强光致抗蚀剂组合物可以依赖每个光致产酸单元的失去保护反应，去影响曝光部分与未曝光部分之间溶解性能的变...
【技术保护点】
一种提高化学增强光致抗蚀剂分辨率的方法，此方法包括：在基片上形成化学增强光致抗蚀剂的凸图像，其中此凸图像含有具有第一尺寸的特征；以及用酸性水溶液接触此凸图像足够时间，以有效地将凸图像的第一尺寸降低到第二尺寸。
【技术特征摘要】
US 2002-12-3 10/309,4041.一种提高化学增强光致抗蚀剂分辨率的方法，此方法包括在基片上形成化学增强光致抗蚀剂的凸图像，其中此凸图像含有具有第一尺寸的特征；以及用酸性水溶液接触此凸图像足够时间，以有效地将凸图像的第一尺寸降低到第二尺寸。2.权利要求1的方法，其中该酸性水溶液含有酸化合物。3.权利要求1的方法，其中该酸化合物的PKa值等于或约小于6，并能有效地除去光致抗蚀剂的碱性树脂中的酸不稳定基团。4.权利要求1的方法，其中该酸化合物包括无机酸或有机酸。5.权利要求1的方法，其中该酸性水溶液含有无机酸化合物，其中该无机酸化合物包括硝酸、氢卤酸、硫酸、亚硫酸、高氯酸、硼酸、磷酸，或者含有至少一种上述无机酸的混合物。6.权利要求1的方法，其中该酸性水溶液含有有机酸化合物，其中该有机酸化合物包括羧酸、二羧酸、...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟健，吴宗禧，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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