用于校验光刻中的分辨率增强技术和光学邻近校正的方法技术

一种基于模型地校验光刻中的分辨率增强技术（ＲＥＴ）和光学邻近校正（ＯＰＣ）的方法，所述方法包括：将绘制的掩模布局的形状按比例缩放到其相应的预定晶片尺寸，以生成比例图像。根据预定的最大覆盖误差，相对于所述比例图像的第二特征偏移其第一特征。计算所述比例图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定理想布局的产量量度。根据所述预定的最大覆盖误差，相对于所述模拟晶片图像的第二特征偏移其第一特征。计算所述模拟晶片图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定模拟布局的产量量度，以及比较所述模拟晶片图像的所述产量量度与所述比例图像的所述产量量度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及半导体器件制造，尤其涉及和系统。
技术介绍
在半导体衬底上制造集成电路通常包括多种光刻步骤。光刻过程首先在衬底表面上施加光致抗蚀剂材料薄层。然后通过光刻曝光工具将光致抗蚀剂暴露给辐射源，其改变了在暴露给辐射的区域上的光致抗蚀剂的可溶性。所述光刻曝光工具通常包括不与曝光辐射相互作用的透明区域、以及与曝光辐射相互作用的被构图的一种或多种材料，所述相互作用或者阻挡辐射或者偏移辐射的相位。由于每个连续代的集成电路上都在半导体衬底上布满了越来越多的电路元件，有必要减小特征的尺寸，所述特征即为构成电路元件的线路和间隔。能在衬底上精确制造的最小特征尺寸受到下述因素的限制在衬底上形成掩模图形的无变形光学图像的制造工艺能力、光致抗蚀剂与显影液的化学和物理反应、以及使用被构图的光致抗蚀剂的后续工艺(如蚀刻或扩散)的均匀性。当光刻系统试图印刷的电路元件的尺寸接近曝光辐射的波长时，所产生的印刷电路元件的形状变得与掩模上的相应图形明显不同。例如，电路元件的线宽可能随着其它线路的邻近而改变。这种不一致的线宽可能导致本应相同的电路元件以不同速度运行，从而对整个集成电路的运行产生问题。另一个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于模型地校验光刻中的分辨率增强技术（ＲＥＴ）和光学邻近校正（ＯＰＣ）的方法，所述方法包括：　　　　将绘制的掩模布局的形状按比例缩放到其相应的预定晶片尺寸，以生成比例图像；　　　　根据预定的最大覆盖误差，相对于所述比例图像的第二特征偏移所述比例图像的第一特征；　　　　计算所述比例图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定理想布局的产量量度；　　　　根据所述预定的最大覆盖误差，相对于所述绘制的掩模布局的模拟晶片图像的第二特征偏移所述模拟晶片图像的第一特征，其中所述模拟晶片图像的所述第一和第二特征对应所述比例图像的所述第一和第二特征；　　　　计算所述模拟晶片图像的所述第一和所述第二特征的...

【技术特征摘要】
US 2004-11-18 10/904,6001.一种基于模型地校验光刻中的分辨率增强技术(RET)和光学邻近校正(OPC)的方法，所述方法包括将绘制的掩模布局的形状按比例缩放到其相应的预定晶片尺寸，以生成比例图像；根据预定的最大覆盖误差，相对于所述比例图像的第二特征偏移所述比例图像的第一特征；计算所述比例图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定理想布局的产量量度；根据所述预定的最大覆盖误差，相对于所述绘制的掩模布局的模拟晶片图像的第二特征偏移所述模拟晶片图像的第一特征，其中所述模拟晶片图像的所述第一和第二特征对应所述比例图像的所述第一和第二特征；计算所述模拟晶片图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定模拟布局的产量量度；以及比较所述模拟晶片图像的所述产量量度与所述比例图像的所述产量量度。2.如权利要求1所述的方法，其中所述交叉参数包括交叉面积。3.如权利要求1所述的方法，还包括根据如下公式确定超过量变化参数，ΔΔ＝(Ai-As)/Ai其中As是所述模拟晶片图像的所述产量量度，Ai是所述比例图像的所述产量量度。4.如权利要求3所述的方法，其中所述比例图像的所述产量量度Ai是通过对所述比例图像的所述第一和第二特征的多个覆盖偏移中的每个计算交叉面积而确定；以及所述模拟晶片图像的所述产量量度As是通过对所述模拟晶片图像的所述第一和第二特征的多个覆盖偏移中的每个计算交叉面积而确定。5.如权利要求4所述的方法，其中所述比例图像的所述第一和第二特征的所述多个覆盖偏移，对应在X-Y轴的四个象限中的每个中的对角偏移；以及所述模拟晶片图像的所述第一和第二特征的所述多个覆盖偏移，同样对应在所述X-Y轴的所述四个象限中的每个中的所述对角偏移。6.如权利要求4所述的方法，其中通过对所述比例图像的所述第一和第二特征的所述多个覆盖偏移中的每个的所述交叉面积求和，而确定所述比例图像的所述产量量度Ai；以及通过对所述模拟晶片图像的所述第一和第二特征的所述多个覆盖偏移中的每个的所述交叉面积求和，而确定所述模拟晶片图像的所述产量量度As。7.如权利要求1所述的方法，其中通过基于模型的校验工具形成所述绘制的掩模布局的所述模拟晶片图像。8.一种基于模型地校验光刻中的分辨率增强技术(RET)和光学邻近校正(OPC)的系统，所述系统包括缩放装置，用于将绘制的掩模布局的形状按比例缩放到其相应的预定晶片尺寸，以生成比例图像；偏移装置，用于根据预定的最大覆盖误差，相对于所述比例图像的第二特征偏移所述比例图像的第一特征；计算装置，用于计算所述比例图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定理想布局的产量量度；另一偏移装置，用于根据所述预定的最大覆盖误差，相对于所述绘制的掩模布局的模拟晶片图像的第二特征偏移所述模拟晶片图像的第一特征，其中所述模拟晶片图像的所述第一和第二特征对应所述比例图像的所述第一和第二特征；另一计算装置，用于计算所述模拟晶片图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定模拟布局的产量量度；以及比较装置，用于比较所述模拟晶片图像的所述产量量度与所述比例图像的所述产量量度。9.如权利要求8所述的系统，其中所述交叉参数包括交叉面积。10.如权利要求8所述的系统，还包括用于根据如下公式确定超过量变化参数Δ的装置Δ＝(Ai-As)/Ai其中As是所述模拟晶片图像的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：LW利布曼，IC格劳尔，JA卡尔普，M慕克尔吉，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]