【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器件和制造显示器件的方法，更为特别地，涉及液晶显示器件的阵列基板和制造液晶显示器件阵列基板的方法。
技术介绍
通常，由于平板显示器件薄且重量轻，并具有低功率消耗，它们通常用作便携式电子设备的显示器。在各种类型的平板显示器件中，液晶显示器件(LCD)被普遍地用于便携式电脑和桌上型电脑监视器，因为它们具有高分辨率和产生高质量彩色图像的能力。LCD器件的操作使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性以产生需要的图像。液晶分子具有特定的排列方式，这是由于它们的通过感应的电场而改变的特定特性。例如感应到液晶分子的电场可以改变液晶分子的排列方式，且由于液晶分子的光学各向异性，入射光根据液晶分子的排列方式被折射。LCD器件包括具有电极的上下基板，该上基板和下基板间隔开并彼此面对；以及插入在两基板之间的液晶材料。因此，当电场通过各基板的电极感应到液晶材料时，液晶分子的排列方向根据施加的电压而改变以显示图像。通过控制感应电压，LCD器件提供各种光透射率以显示图像数据。在不同类型的LCD器件中，具有以矩阵形式布置的薄膜晶体管和像素电极的有源矩阵LCD(AM-LCD)提...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于液晶显示器件并具有薄膜晶体管上滤色器(COT)结构的阵列基板器件，其包括在基板上沿横向方向形成的选通线，该选通线包括在其一端的选通焊盘；形成在基板上以覆盖选通线的第一绝缘层，该第一绝缘层暴露选通焊盘的第一部分；在基板上沿纵向方向在第一绝缘层上方形成的数据线，该数据线与选通线限定像素区域且其包括在其一端的数据焊盘；形成在选通线和数据线交叉区域的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；与薄膜晶体管、选通线和除漏电极第二部分之外的数据线重叠的黑底；在基板的整个表面上形成以覆盖黑底的第二绝缘层，该第二绝缘层暴露选通焊盘的第一部分、数据焊盘的第三部分和像素区域；在像素区域内且与漏电极的第二暴露部分相接触的第一像素电极；在像素区域内的第一像素电极上的滤色器；和在滤色器上且与第一像素电极相接触的第二像素电极。2.根据权利要求1的器件，进一步包括薄膜晶体管与黑底之间的无机绝缘层。3.根据权利要求2的器件，其中无机绝缘层包括氮化硅和氧化硅中的一种。4.根据权利要求3的器件，其中无机绝缘层暴露选通焊盘的第一部分和数据焊盘的第三部分。5.根据权利要求1的器件，其中半导体层包括栅电极上方的本征非晶硅有源层和该有源层上的非本征非晶硅欧姆接触层。6.根据权利要求1的器件，其中第一和第二像素电极包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的一种。7.根据权利要求1的器件，其中滤色器包括红、绿和蓝颜色中的至少一种。8.根据权利要求1的器件，进一步包括选通线上方的第一绝缘层上的存储金属层。9.根据权利要求8的器件，其中第二绝缘层暴露存储金属层的第四部分。10.根据权利要求9的器件，其中第一像素电极接触由第二绝缘层暴露的存储金属层的第四部分。11.根据权利要求8的器件，其中存储金属层和部分选通线与插入在二者之间的第一绝缘层一起构成存储电容器。12.根据权利要求1的器件，其中第一像素电极直接接触基板。13.一种形成用于液晶显示器件且具有薄膜晶体管上滤色器(COT)结构的阵列基板的方法，包括形成在基板上沿横向方向的选通线、选通线一端的选通焊盘和从选通线延伸的栅电极；在基板上形成第一栅绝缘层以覆盖选通线、选通焊盘和栅电极；依序在栅电极上方的第一栅绝缘层上形成本征非晶硅有源层和非本征非晶硅欧姆接触层；形成数据线、数据焊盘、源电极和漏电极，该数据线设置成与选通线垂直交叉并限定出像素区域，该数据焊盘设置在数据线的一端，该源电极在欧姆接触层的第一部分上从数据线延伸，且漏电极在欧姆接触层的第二部分上与源电极间隔开，以形成薄膜晶体管；在基板的整个表面上形成第二绝缘层以覆盖薄膜晶体管；在第二绝缘层上形成黑底以覆盖薄膜晶体管、选通线和除漏电极第一部分之外的数据线；在基板的整个表面上方形成第三绝缘层以覆盖黑底；构图第一、第二和第三绝缘层以暴露漏电极的第一部分；在基板的整个表面上方形成第一透明电极层以覆盖被构图的第三绝缘层并接触漏电极被暴露的部分；在像素区域内的第一透明电极层上形成滤色器；在基板的整个表面上方形成第二透明电极层以覆盖滤色器和第一透明电极层；构图第一和第二透明电极层以形成第一和第二像素电极；和在形成第一和第二像素电极之后，构图在选通焊盘和数据焊盘上方的第一、第二和第三绝缘层的部分以分别形成选通焊盘接触孔和数据焊盘接触孔。14.根据权利要求13的方法，其中薄膜晶体管包括栅电极、有源层、欧姆接触层、源电极和漏电极。15.根据权利要求13的方法，其中第一和第二像素电极形成夹层像素电极。16.根据权利要求13的方法，其中滤色器插入在第一和第二像素电极之间。17.根据权利要求13的方法，其中选通焊盘接触孔暴露选通焊盘的第二部分，而数据焊盘接触孔暴露数据焊盘的第三部分。18.根据权利要求13的方法，其中第二绝缘层插入在薄膜晶体管与黑底之间。19.根据权利要求13的方法，其中第一至第三绝缘层包括氮化硅和氧化硅中的一种。20.根据权利要求13的方法，其中第一和第二透明电极层包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种。21.根据权利要求13的方法，其中滤色器包括红、绿和蓝颜色中的至少一种。22.根据权利要求13的方法，其中形成数据线包括在选通线上方的第一绝缘层上形成存储金属层。23.根据权利要求22的方法，其中第二和第三绝缘层暴露存储金属层的第五部分。24.根据权利要求23的方法，其中第一像素电极接触存储金属层被暴露的第五部分。25.根据权利要求22的方法，其中存储金属层和部分选通线与插入在二者之间的第一绝缘层一起构成存储电容器。26.根据权利要求13的方法，其中第一像素电极直接与基板接触。27.一种用于液晶显示器件且具有薄膜晶体管上滤色器(COT)结构的阵列基板器件，其包括在基板上沿着横向方向形成的选通线，该选通线包括在其一端的选通焊盘；形成在基板上以覆盖选通线的第一绝缘层，该第一绝缘层暴露选通焊盘的第一部分；在基板上沿纵向方向在第一绝缘层上方形成的数据线，该数据线与选通线限定像素区域且包括在其一端的数据焊盘；形成在选通线和数据线交叉区域的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；与薄膜晶体管、选通线、除漏电极第二部分之外的数据线...
【专利技术属性】
技术研发人员：金雄权，张允琼，朴承烈，
申请(专利权)人：LG飞利浦LCD有限公司，
类型：发明
国别省市：
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