【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件。更具体地，本专利技术涉及用于制造具有存储电极接触体的半导体器件的方法，存储电极接触体在朝着位线的方向延伸，以增加电容器的存储电极接触体和存储电极之间的接触面积。
技术介绍
因为半导体器件变得更高度地集成，所以晶体管的尺寸减小、DRAM单元的集成度增加，例如，产生大规模的十亿位DRAM单元。通常，DRAM单元包括单晶体管和电容器，单晶体管DRAM单元要求电容器存储足够的电荷，以允许单元状态在刷新周期之间保持选中状态。而且，根据用来形成单元电容器的方法，DRAM单元可以分为层叠单元或沟槽单元之一。参考层叠的DRAM，存在用来获得占较小面积的单元电容器的各种方法，以遵守设计规则的减小。例如，已广泛地研究了增加电容器存储电极的高度的方法、使用半球形颗粒(HSG)增加有效表面积的方法，以及利用通过一个圆柱形存储(OCS)电容器的圆柱的内部和外部区域的方法。具体，已提出OCS电容器是遵守设计规则进一步减小、占较小的面积的最有可能的电容器类型。但是，常规的OCS电容器导致两个位故障。当DRAM单元中的电容器电极倒塌和接触其它DRAM单元的其它电容器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上形成栅极线；形成覆盖栅极线的第一绝缘层；形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，其中通过贯穿第一绝缘层第一接触焊盘和第二接触焊盘电连接到栅极线之间的半导体衬底；形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层；形成位线，其中位线跨越栅极线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘；形成覆盖位线的第三绝缘层；有选择地刻蚀第三绝缘层以形成带型开口，其中带型开口与位线交叉并露出第一接触焊盘；在第三绝缘层上形成导电层，以填充带型开口；构图导电层，以形成单个的存储电极接触体，其中每个接触体包括在位线方向上在第三绝缘层上延伸的延伸部分和电连接到第一接触焊盘的体区；以及在每个存储电极接触体上形成存储电极。2.如权利要求1所述的方法，其中在由第一和第二栅极线定义的第一列的栅极线方向布置第一接触焊盘，以及在由第二和第三栅极线定义的第二列的栅极线方向布置第二接触焊盘。3.如权利要求1所述的方法，其中带型开口在栅极线方向延伸。4.如权利要求1所述的方法，其中形成带型开口以露出第一接触焊盘并围绕位于栅极线之间的第一绝缘层。5.如权利要求1所述的方法，其中带型开口的宽度大于第一接触焊盘的宽度。6.如权利要求5所述的方法，其中带型开口形成为允许部分第二绝缘层留在邻近第二接触焊盘的两个栅极线的部分上的宽度。7.如权利要求1所述的方法，其中形成带型开口包括在第三绝缘层上形成带型第一光刻胶图形，以露出覆盖第一接触焊盘的部分第三绝缘层；以及通过使用带型第一光刻胶图形作为蚀刻掩模，有选择地刻蚀第二绝缘层的露出部分。8.如权利要求1所述的方法，其中形成位线还包括形成覆盖位线的帽盖绝缘层；在位线侧壁上形成隔片，其中帽盖绝缘层和隔片防止刻蚀工序过程中损坏位线。9.如权利要求8所述的制造方法，其中通过使用帽盖绝缘层的顶面作为刻蚀停止层进行构图导电层。10.如权利要求1所述的方法，其中导电层是导电的多晶硅层。11.如权利要求1所述的方法，其中构图导电层还包括在导电层形成第二光刻胶图形，以部分地露出重叠位线的部分导电层和重叠栅极线之间布置的第二接触焊盘的部分导电层，以及通过使用第二光刻胶图形作为蚀刻掩模，刻蚀导电层的露出部分。12.如权利要求1所述的方法，其中在其间布置位线的两个相邻的存储电极接触体的延伸部分在彼此相反的方向延伸。13.如权利要求1所述的方法，其中形成存储电极接触体，以致位线方向的延伸部分的宽度大于体区的宽度。14.如权利要求1所述的方法，其中形成存储电极接触体，以致在位线方向的延伸部分的宽度大于栅极线方向的延伸部分。15.如权利要求1所述的方法，其中形成存储电极，以致以与位线成一定角度布置其间布置有位线的最相邻存储电极。16.如权利要求1所述的方法，其中以与位线或栅极线成一...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴昌敏，李重泫，赵汉九，朴俊洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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