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一种用于制造半导体器件的方法，包括：　　　　在半导体衬底上形成栅极线；　　　　形成覆盖栅极线的第一绝缘层；　　　　形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，其中通过贯穿第一绝缘层第一接触焊盘和第二接触焊盘电连接到栅极线之间的半导体衬底；　　　　形成覆...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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