【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路中的布线结构，特别是涉及使用了由多孔性的低介电常数膜构成的层间绝缘膜和铜布线的多层布线结构。
技术介绍
伴随着半导体集成电路的微细化，金属布线的信号延迟正成为日益严重的问题。为了解决这一问题，用铜(Cu)作为布线材料以降低布线电阻，用低介电常数膜作为层间绝缘膜以降低静电电容正变得不可或缺。特别是，在下一代的半导体集成电路中，为了进一步降低层间电容，正在研究使用在绝缘膜中具有众多空洞的所谓多孔性低介电常数膜(以下称为“多孔性低k膜”)。而且，为了防止金属向多孔性低k膜的扩散，提出了在布线用沟槽的表面上形成CVD氧化膜的方法(例如，请参照专利文献)。专利文献1特开平9-298241号公报(第5页，图1)在下一代的65nm节点的半导体集成电路中，布线间的距离更加缩短。与此同时，对于布线间的多孔性低k膜的宽度，在布线用沟槽的侧面形成的上述CVD氧化膜的膜厚相对地增大。即，在布线用沟槽侧面形成的物质的介电常数对线间电容的影响增大。然而，由于上述CVD氧化膜的介电常数k为4.1～4.3左右，所以存在作为层间绝缘膜的多孔性低k膜的有效介电常数ke...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括在衬底上形成的多孔性的低介电常数膜；在上述低介电常数膜内形成的开口部；仅覆盖上述开口部的侧面、介电常数为3以下的绝缘膜；以及在上述开口部内形成的导电体膜。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述绝缘膜是氟化聚(丙炔)膜或无定形氟化碳。3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于上述低介电常数膜是多孔性MSQ、多孔性HSQ、含有甲基和羟基双方的混合膜、以碳为主成分的多孔性有机膜中的某一种。4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含在衬底上形成多孔性...
【专利技术属性】
技术研发人员：梶成彦，
申请(专利权)人：半导体先端科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
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