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一种半导体器件，其特征在于，包括：　　　　在衬底上形成的多孔性的低介电常数膜；　　　　在上述低介电常数膜内形成的开口部；　　　　仅覆盖上述开口部的侧面、介电常数为３以下的绝缘膜；以及　　　　在上述开口部内形成的导电体膜。...
该专利属于半导体先端科技株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过半导体先端科技株式会社授权不得商用。

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