【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种半导体结构，特别是有关于一种半导体结构中的。(2)
技术介绍
内连线在半导体结构中扮演着相当重要的角色。内连线主要是用来连结各种的半导体装置。然而，在内连线的技术范畴中，特别是对于一些具有较高的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion；CTE)的材质，由于在金属层与介电层之间的热膨胀系数差异所造成的热应力(thermal stress)将会是对于所形成的内连线的可靠度(reliability)最大的挑战。在形成内连线之后的制程中所出现的热制程中，例如化学气相沉积(chemical vapor deposition)，烘烤制程(baking)，以及诸如此类的制程，在上述的内连线结构中将会沿着冠状层(cap layer)与金属层之间的界面发生金属迁移(metal migration)，并从而在内连线结构中形成空隙(void)。举例来说，图1是一种在现有技术中使用金属铜与低介电常数的介电层(low-Kdielectric layer)的内连线结构。在低介电常数介电层100中具有一介层洞(via)，在上述的介层洞中具...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种内连线结构，其特征在于，包含一第一介电层；一第一金属层位于该第一介电层中；一类金属化合物层位于该第一金属层上；及一冠状层位于该类金属化合物层上。2.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该第一介电层包括一低介电常数的介电材质。3.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该第一金属层包含铜。4.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该类金属化合物层是藉由一无电极电镀法来形成。5.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该类金属化合物层是藉由一沉积法来形成。6.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，还包含一第二介电层位于该冠状层上；及一第二金属层位于该第二介电层中。7.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该冠状层包含一介电材质。8.一种内连线结构，其特征在于，包含一第一介电层具有至少一第一介层洞；一共形的阻绝层位于该第一介层洞中；一第一金属层位于该介层洞中；一类金属化合物层位于该第一金属层上；及一冠状层位于该类金属化合物层上。9.如权利要求8所述的内连线结构，其特征在于，该第一介电层包含一低介电常数的介电材质。10.如权利要求8所述的内连线结构，其特征在于，该第一金属层包含铜。11.如权利要求8所述的内连线结构，其特征在于，该类金属化合物层是CoWP。12.如权利要求8所述的内连线结构，其特征在于，该类金属化合物层是CoWB。13.如权利要求8所述的内连线结构，其特征在于，还包含一第...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶名世，熊炯声，郑躍晴，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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