【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种光电集成电路(optoelectronicintegrated circuit，OEIC)元件及其制作方法，特别是有关于一种有效将二极管及电晶体隔离，且具有高度晶格匹配(lattice match)的光电集成电路(optoelectronicintegratedcircuit，OEIC)元件及其制作方法。
技术介绍
众所周知，光电集成电路(optoelectronicintegrated circuit，OEIC)是在一基板上包含电子电路部分及光学电路部分元的单片集成光学元件，是快速且大量的光学传输体系发展的关键装置。在光电集成电路装置的结构上，一般是以发射短波长蓝光的氮化镓(GaN)作为发光层，且形成于砷化镓(GaAS)基板上，以达到电子讯号及光讯号在发光层的互相连结。在目前的光学元件技术中，各磊晶层的晶格常数(lattice constant)不匹配的问题，一直是造成光电集成电路元件的发光效率与使用寿命不易提升的瓶颈。以氮化镓(GaN)为例，氮化镓(GaN)是非常重要的宽能隙(wide bandgap)半导体材料，可以用来做绿光、蓝光...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是它包括有作为该光电集成电路元件的光学电路部分的发光二极管部分及该光电集成电路元件的电子电路部分的场效电晶体部分，所述发光二极管部分至少包括有一基底具有第一晶格常数，所述场效电晶体部分形成于该基底；一第一多层缓冲层设置于所述基底表面，所述第一多层缓冲层的晶格常数呈现梯度变化，由所述第一多层缓冲层底部所具有的第一晶格常数逐渐变化为第一多层缓冲层表面所具有的第二晶格常数；一第二多层缓冲层设置于所述第一多层缓冲层表面，所述第二多层缓冲层的晶格常数呈现梯度变化，由所述第二多层缓冲层底部所具有的第二晶格常数逐渐变化为所述第二多层缓冲层表面所具有的第三晶格常数；一第一型束缚层设置于所述第二多层缓冲层表面具有第三晶格常数；一活性层设置于所述第一型束缚层表面；一第一型电极设置于所述活性层部分表面；一第二型束缚层设置于所述活性层表面；一第二型电极设置于所述第二型束缚层部分表面；一线路连接所述场效电晶体与第一型电极。2.根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是所述光电集成电路元件更包括一保护层形成于所述发光二极管及场效电晶体之间，所述线路是以该保护层与发光二极管隔开。3.根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是所述基底包括硅；所述第一多层缓冲层包括BxGa(1-x)P；所述第二多层缓冲层为InWGa1-Z-WN，以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。4.根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是所述基底包括碳化硅；所述第一多层缓冲层包括BxGa(1-x)P，所述第一多层缓冲层包括InYGa1-YN；以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。5.根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是所述基底包括磷化镓；所述第一多层缓冲层包括BxGa(1-x)P；所述第一多层缓冲层包括InYGa1-YN；以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。6.根据权利要求1所述的高晶格匹配性的光电集成电路元件，其特征是所述基底包括砷化镓；所述第一多层缓冲层包括GaAs1-YPY与BxGa(1-x)P，所述第二多层缓冲层包括InYGa1-YN；以及所述第一型束缚层包括氮化镓系化合物。7.一种高晶格匹配性的光...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖穆人，刘家呈，章烱煜，
申请(专利权)人：威凯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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