晶圆的切割方法技术

一种晶圆的切割方法，其特征在于它包括如下步骤：　　　　步骤一　　　　黏着第一保护层　　　　提供第一保护层；　　　　提供设有复数个晶片的晶圆，相邻晶片间形成有切割道，且晶圆设有上表面及下表面，晶圆的下表面系固定于第一保护层上；　　　　步骤二　　　　黏着第二保护层　　　　提供覆盖于晶圆上表面以保护晶圆上表面不受污染的第二保护层；　　　　步骤三　　　　切割　　　　提供切割刀由晶圆的上表面朝着切割道进行切割成复数个晶片；　　　　步骤四　　　　取下第一、二保护层　　　　自切割后的每一晶片上取下第一保护层及第二保护层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于半导体加工方法，特别是一种。
技术介绍
如图1所示，习知晶圆10在完成制作后，使其上形成复数个晶片12，且相邻晶片12间形成有切割道14，用以将每一晶片12自晶圆10上切割下来。为了使晶圆10在切割过程中，被切割下来的晶片12不致散飞，通常在切割时，首先将晶圆10固定于保护层16上，再以切割刀延着切割道14将每一晶片12切割下来，最后再将保护层16去除。然而，在切割过程中，切割屑将污染到每一晶片12，所以，最后必须将切割完成的每一晶片12以清水予以清洗，再行烘干，如此，导致制程的复杂，使得制造成本提高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种避免切割时对晶圆污染、免除清洗烘干、简化制程、有效降低成本的。本专利技术包括如下步骤步骤一黏着第一保护层提供第一保护层；提供设有复数个晶片的晶圆，相邻晶片间形成有切割道，且晶圆设有上表面及下表面，晶圆的下表面系固定于第一保护层上；步骤二黏着第二保护层提供覆盖于晶圆上表面以保护晶圆上表面不受污染的第二保护层； 步骤三切割提供切割刀由晶圆的上表面朝着切割道进行切割成复数个晶片；步骤四取下第一、二保护层自切割后的每一晶片上取下第一保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶圆的切割方法，其特征在于它包括如下步骤步骤一黏着第一保护层提供第一保护层；提供设有复数个晶片的晶圆，相邻晶片间形成有切割道，且晶圆设有上表面及下表面，晶圆的下表面系固定于第一保护层上；步骤二黏着第二保护层提供覆盖于晶圆上表面以保护晶圆上表面不受污染的第二保护层；步骤三切割提供切割刀由晶圆的上表面朝着切割道...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧永宏，
申请(专利权)人：胜开科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：