【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及平版印刷，更具体地说，本专利技术涉及在用于深紫外光(DUV)和远紫外光(EUV)平版印刷成象的光致抗蚀剂膜中，基本上使高吸收率(低透明度)的有害作用最小化的方法。更具体地说，本专利技术涉及利用在底层中产生的光致酸的垂直扩散，来改善半透明化学增强的抗蚀剂中图象性能和抗蚀剂轮廓。
技术介绍
半导体工业中，希望利用平版印刷技术制成的微电子设备中具有更高的电路密度。历史上，通过波长缩放比例(降低成像辐射的波长)、改善成象光学系统(使用具有更大数值的光圈的透镜)和使用为每个新波长进行优化的更高性能的光致抗蚀剂的组合，很好地实现了这一愿望。目标是产生具有合适特性(即垂直形状、耐蚀刻性等)的更小的光致抗蚀剂特征，其随后可用作能够将光图象准确转移到下面基质上的浮雕图象。由于设备生产量和光源强度方面的考虑，还要求用于157nm和EUV平版印刷的光致抗蚀剂能够在低曝光剂量下发挥作用(具有高光敏速度)。由于半导体工业(目前在248nm代和193nm代)正向157nm和13.4nm技术发展，因此抗蚀剂的透明性变成一个严重的问题。目前正在开发的157nm抗蚀剂是基于吸光度为...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种平版印刷方法，包括在基质表面上沉积下层，所述下层包含(i)光致酸生成剂和(ii)包括至少有机聚合物和无机基质材料之一的聚合物材料；照射下层，以在下层的整个图案区域生成酸；和将下层中形成的图案转移到在所述下层上面的层，所述转移包括将酸从下层垂直转移到上层，来实质性地提高整个上层中的酸密度，其中上层中含有足够的酸以允许上层进行平版印刷成像，并且选择光致酸生成剂以提高所述的垂直转移。2.根据权利要求1的方法，其中光致酸垂直扩散到上层中。3.根据权利要求2的方法，其中上层中基本上不含光致酸生成剂。4.根据权利要求3的方法，包括同时照射上层和下层。5.根据权利要求3的方法，包括在下层经过照射之后，将上层沉积在下层上。6.根据权利要求4的方法，其中上层包含带有活性的对酸不稳定的官能团的聚合物树脂。7.根据权利要求5的方法，其中上层包含带有活性的对酸不稳定的官能团的聚合物树脂。8.根据权利要求2的方法，包括同时照射上层和下层，其中上层包括当被辐射时直接生成酸的光致酸生成剂，并且其中所述的垂直转移和所述的上层中的直接酸生成共同作用形成上层中的图案。9.根据权利要求1的方法，其中上层含有光致酸生成剂，该光致酸生成剂产生具有比下层中产生的酸显著低的扩散性的酸。10.根据权利要求1的方法，其中上层含有被选择用来在所述垂直转移过程中降低酸的横向扩散的添加剂。11.根据权利要求1的方法，其中所述添加剂包括碱。12.根据权利要求1的方法，其中选择上层的厚度和下层中生成酸的扩散性能，使得当下层用157nm的电磁辐射照射时，产生垂直的抗蚀剂轮廓。13.根据权利要求1的方法，其中所述下层中生成的酸的pKa等于或低于上层中生成的酸的pKa。14.根据权利要求1的方法，其中所述垂直转移在所述上层中提供了基本上连续的潜在的酸图象。15.根据权利要求1的方法，其中所述下层中生成的酸具有比全氟辛烷磺酸更大的扩散性。16.一种双层膜，包含(A)下层，其包含(i)光致酸生成剂和(ii)包括至少有机聚合物和无机基质材料之一的聚合物材料，其中选择所述光致酸生成剂以提高所生成的酸向上层的垂直转移；和(B)覆盖在所述下层上的层，它包含含有对酸活性的基团的适合用于化学增强抗蚀剂的有机聚合物。17.根据权利要求16的双层膜，其中光致酸生成剂的含量以组分A的总重量计为约0.5-约20％重量。18.根据权利要求16的双层膜，其中光致酸生成剂选自全氟烷基磺酸鎓盐，甲基化物，酰胺和其它磺酸酯。19.根据权利要求16的双层膜，其中光致酸生成剂包含双叔丁基苯基碘鎓二三氟甲烷磺酰胺。20.根据权利要求16的双层膜，其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·E·拉森，G·M·沃尔拉夫，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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