【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示(LCD)装置，尤其涉及一种。
技术介绍
液晶显示(LCD)装置基于液晶材料的光学各向异性和偏振特性受到驱动。通常，LCD装置包括两个彼此间隔且相互面对的基板和夹在两基板之间的液晶层。每一个基板包括一个电极，每一个基板的各个电极也彼此面对。将电压施加到每一个电极上，由此在各电极之间感应出电场。通过改变电场的强度或者方向，改变液晶分子的排列。LCD装置通过根据液晶分子的排列改变透光率，显示画面。有源矩阵液晶显示(AMLCD)装置因其分辨率高且显示活动图像速度快而被广为采用，所述AMLCD装置包括多个薄膜晶体管作为多个象素的开关元件。以下将参照附图详细描述一种现有技术的LCD装置。图1是示出一现有技术LCD装置的实物示意图。在这种LCD装置中，上基板10和下基板30彼此间隔且相互面对，液晶层50夹在上基板10与下基板30之间。至少一条栅极线32和至少一条数据线34形成于下基板30的内表面(即，面对上基板10的那一侧)上。栅极线32与数据线34相互交叉，限定一象素区P。一薄膜晶体管T作为开关元件形成在栅极线32与数据线34相交的部分处。虽然...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种液晶显示装置的制造方法，包括通过第一掩模处理过程，在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；通过第二掩模处理过程，在包括栅极线、栅极焊盘和栅极的第一基板上形成一数据线、一数据焊盘、一源极、一漏极和一有源层；通过第三掩模处理过程，在包括数据线、数据焊盘、源极和漏极的第一基板上形成一象素电极和一数据焊盘端子；在包括象素电极和数据焊盘端子的第一基板的整个表面上形成一钝化层；将包括钝化层的第一基板与第二基板相粘接，其中由第二基板露出包括栅极焊盘的栅极焊盘部分和包括数据焊盘的数据焊盘部分；为第一基板与第二基板之间的间隙中提供液晶材料；以及去除第二基板所暴露的栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层。2.根据权利要求1的方法，其特征在于，提供液晶材料的步骤包括注入液晶材料。3.根据权利要求1的方法，其特征在于，提供液晶材料的步骤包括施加液晶材料。4.根据权利要求1的方法，其特征在于，去除栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层的步骤包括将液晶显示装置浸入一种蚀刻剂中。5.根据权利要求4的方法，其特征在于，钝化层由氮化硅和氧化硅中的一种形成。6.根据权利要求5的方法，其特征在于，蚀刻剂包括氢氟酸(HF)。7.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程包括在包括栅极线、栅极和栅极焊盘的第一基板上形成一栅极绝缘层；在栅极绝缘层之上淀积一非晶硅层、一掺杂的非晶硅层和一金属层；在第二金属层之上设置具有第一厚度和第二厚度的光刻胶图形，其中第二厚度小于第一厚度；根据该光刻胶图形，有选择地去除金属层、掺杂的非晶硅层和非晶硅层各自的部分；去除光刻胶图形具有第二厚度的那一部分；有选择地蚀刻通过去除光刻胶图形具有第二厚度的那部分所暴露的金属层；以及去除剩余的光刻胶图形。8.根据权利要求7的方法，其特征在于，第三掩模处理过程包括有选择地蚀刻掺杂的非晶硅层的一部分，该掺杂的非晶硅层的一部分是由通过有选择地蚀刻由去除具有第二厚度的光刻胶图形所暴露的金属层暴露的。9.根据权利要求7的方法，其特征在于，第二掩模处理过程还包括有选择地去除栅极绝缘层。10.根据权利要求1的方法，其特征在于，第三掩模处理过程包括形成一覆盖数据线和源极的数据缓冲图形。11.根据权利要求1的方法，其特征在于，栅极线、栅极和栅极焊盘包括铝。12.根据权利要求11的方法，其特征在于，栅极线、栅极和栅极焊盘还包括一透明导电材料层。13.根据权利要求1的方法，其特征在于，在数据线和数据焊盘之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。14.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程包括栅极线之上的一个电容电极。15.根据权利要求14的方法，其特征在于，象素电极接触电容电极，由此电容电极与栅极线形成一存储电容。16.根据权利要求14的方法，其特征在于，在电容电极之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。17.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程还包括栅极焊盘之上的栅极焊盘缓冲图形，该栅极焊盘缓冲图形包括与栅极焊盘一中间部分对应的一个孔。18.根据权利要求17的方法，其特征在于，在栅极焊盘缓冲图形之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。19.根据权利要求17的方法，其特征在于，第三掩模处理过程还包括一栅极焊盘端子，该栅极焊盘端子通过与栅极焊...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳洵城，张允琼，南承熙，赵兴烈，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：
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