【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有球状导电端子的BGA(球栅阵列)型的。
技术介绍
近年来，作为三维安装技术、又名新的封装技术，CSP(芯片尺寸封装件)倍受瞩目。所谓的CSP是外形尺寸与半导体芯片大致相同的小型封装件。作为一种现有的CSP，BGA型半导体器件是已知的。这种BGA型半导体器件在封装件的一个主表面上以格状设置由焊料等金属材料构成的多个球状导电端子，用电连接在封装件的另一面上安装的半导体芯片。因此，当将这种BGA型半导体器件安装到电子设备中时，在印刷衬底上的配线图形上压接各个导电端子，并电连接半导体芯片和在印刷衬底上安装的外部电路。这种BGA型半导体器件与具有向侧部突出的引线管脚的SOP(小外廓封装件)和QFP(方形扁平封装件)等其它CSP型半导体器件相比具有可设有多个导电端子、并且能小型化的优点。这种BGA型半导体器件具有例如作为在移动电话上承载的数字照相机图像传感器芯片的用途。图11示出了现有BGA型半导体器件的示意构成图，其中图11(A)是这种BGA型半导体器件的表面侧的立体图。而图11(B)是这种BGA型半导体器件的背面侧的立体图。这种BGA型半导体器件10...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序在已经形成第一配线的半导体晶片表面上粘接第一支撑衬底的工序；在所述半导体晶片的背面粘接第二支撑衬底的工序；从所述第二支撑衬底的背面沿着切割线进行切割，形成直到所述第一支撑衬底的槽，并部分露出所述第一配线的工序；形成连接所述第一配线的露出部分并在所述第二支撑衬底的表面上延伸的第二配线的工序；在所述第二配线表面上通过喷涂形成由有机树脂构成的保护膜的工序；在所述保护膜的规定位置上形成露出所述第二配线的开口部的工序。2.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序在已经形成第一配线的半导体晶片表面上粘接第一支撑衬底的工序；在所述半导体晶片的背面粘接第二支撑衬底的工序；在所述第二支撑衬底上通过喷涂形成缓冲部件的工序；从所述第二支撑衬底的背面沿着切割线进行切割，形成直到所述第一支撑衬底槽，并部分露出所述第一配线的工序；形成连接所述第一配线的露出部分并在包含所述缓冲部件的所述第二支撑衬底的表面上延伸的第二配线的工序；在所述第二配线表面上形成由有机树脂构成的保护膜的工序；在所述保护膜的规定位置上形成露出所述第二配线的开口部的工序。3.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在所述保护膜的表面上通过喷涂形成抗蚀剂层的工序。4.根据权利要求1或2的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在所述开口部露出的第二配线上形成导电端子的工序。5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序在已经形成第一配线的半导体晶片表面上粘接支撑衬底的工序；从所述半导体晶片的背面沿着切割线进行刻蚀形成槽，并部分露出所述第一配线的工序；形成连接所述第一配线的露出部分并在所述半导体晶片的背面延伸的第二配线的工序；在所述第二配线表面上通过喷涂形成由有机树脂构成的保护膜的工序；在所述保护膜的规定位置上形成露出所述第二配线的开口部的工序。6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序在已经形成第一配线的半导体晶片表面上粘接支撑衬底的工序；从所述半导体晶片的背面沿着切割线进行刻蚀形成槽，并部分露出所述第一配线的工序；在所述半导体晶片的背面通过喷涂形成缓冲部件的工序；形成连接所述第一配线的露出部分并在包含缓冲部件的所述半导体晶片的背面延伸的第二配线的工序；在所述第二配线表面上形成由有机树脂构成的保护膜的工序；在所述保护膜的规定位置上形成露出所述第二配线的开口部的工序。7.根据权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在所述保护膜的表面上通过喷涂形成抗蚀剂层的工序。8.根据权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在由所述开口部露出的第二配线上形成导电端子的工序。9.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机树脂具有热固性。10.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机树脂是环氧树脂。11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序在已经形成第一配线的半导体晶片表面上粘接第一支撑衬底的工序；从所述半导体晶片的背面沿着切割线将所述半导体晶片进行刻蚀，分成多个半导体芯片的工序；在所述多个半导体芯片的背面插入树脂，并粘接第二支撑衬底的工序；沿着所述切割线从所述第二支撑衬底的背面切割所述第二支撑衬底和所述树脂，然后通过切割所述第一支撑衬底的一部分形成槽，并部分露出所述第一配线的...
【专利技术属性】
技术研发人员：野间崇，筱木裕之，铃木彰，关嘉则，久原孝一，高尾幸弘，山田纮士，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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