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一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：　　　　在已经形成第一配线的半导体晶片表面上粘接第一支撑衬底的工序；　　　　在所述半导体晶片的背面粘接第二支撑衬底的工序；　　　　从所述第二支撑衬底的背面沿着切割线进行切割，形成直到所述第...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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