阴极配置、电子枪以及包括此电子枪的光刻系统技术方案

技术编号:13542459 阅读:113 留言:0更新日期:2016-08-18 03:26
本发明专利技术涉及一种阴极配置(20),其包括:阴极本体,其容纳发射表面(32),用以在纵向方向(Z)中发射电子,其中,该发射表面由发射周围(35)界定;聚焦电极(40),其在横向方向中至少部分封闭该阴极本体,并且包括电子透射孔径(44),用以聚焦由该发射表面所发射的电子,其中,该孔径由孔径周围(45)界定,其中,该阴极本体以可移动的方式在与对齐位置(R0)相隔最大横向距离(d1)处被布置在该聚焦电极内部,并且其中,该孔径周围横向延伸越过该发射表面并且超越该发射周围在一重叠距离(d2),该重叠距离超过该最大横向距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480071826
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/CN105874554.html" title="阴极配置、电子枪以及包括此电子枪的光刻系统原文来自X技术">阴极配置、电子枪以及包括此电子枪的光刻系统</a>

【技术保护点】
一种阴极配置(20),其包括:阴极本体(22),其容纳发射表面(32),所述发射表面用以在纵向方向(Z)中发射电子,其中,所述发射表面由发射周围(35)界定;聚焦电极(40),其在横向方向(X,Y)中至少部分封闭所述阴极本体,并且包括电子透射孔径(44),所述电子透射孔径(44)用以聚焦由所述发射表面所发射的电子,其中,所述电子透射孔径由孔径周围(45)界定,其中,所述阴极本体以可移动的方式被布置在所述聚焦电极内部,与对齐位置(R0)相隔最大横向距离(d1),并且其中,所述孔径周围横向延伸到所述发射表面上方,并且延伸超过发射周围一重叠距离(d2),所述重叠距离(d2)超过所述最大横向距离(d1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:L迪努格尔特勒EP霍杰沃斯特
申请(专利权)人:迈普尔平版印刷IP有限公司
类型:发明
国别省市:荷兰;NL

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