【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种金属有机物化学汽相外延MOCVD的生长技术，特别是涉及应用于 太阳盲区紫外探测光电子器件的高A1组分铝镓氮合金薄膜的制备方法，具体为一种提高 铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法。
技术介绍
当太阳发射的紫外线经过大气层向地球辐射时，太阳光经过大气特别是臭氧层吸 收衰减后，在地面和近地大气中存在着太阳辐射的光谱盲区，太阳辐射的紫外线被大气吸 收的谱区，称为太阳盲区(大气层吸收200 300nm紫外光)。由于太阳盲区的存在及大气 层中因均匀散射而呈现的背景条件，研制紫外探测器在军事及民用领域有着重要的意义。 宽带隙半导体AlGaN合金材料，带隙宽度(Eg)从3. 4eV至6. 2eV，对应波长范围为200 365nm，覆盖了整个太阳盲区，在光电子器件领域有着重要的应用价值。铝镓氮材料优越的 物理化学稳定性使其可以在苛刻的条件下工作，因此在航天航空、导弹探测、火灾监测等方 面有广泛的应用前景。随着应用范围不断向更深紫外波段(< 300nm)延伸，就要求获得高 Al组分(x > 0. 4)的AlxGai—XN薄膜材料。 生长高质量...
【技术保护点】
提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法，其特征是采用ＭＯＣＶＤ在α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］衬底上外延生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ合金薄膜层，以金属有机源三甲基铝ＴＭＡｌ和三甲基镓ＴＭＧａ作为Ⅲ族源，ＮＨ↓［３］作为Ｖ族源，Ｈ↓［２］作为载气，由以下两种方式中的任一种防止Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ合金薄膜层产生裂纹：１）在衬底上生长ＡｌＮ缓冲层，ＡｌＮ缓冲层生长温度为６００～１０００℃，生长厚度从１０至１００ｎｍ，ＡｌＮ缓冲层生长结束，将ＭＯＣＶＤ反应腔温度升高至１１００～１１５０℃，继续生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ合金薄膜层；２）在衬底上生长一层Ｇａ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，张荣，谢自力，李亮，修向前，华雪梅，赵红，陈鹏，陈敦军，陆海，韩平，郑有炓，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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