含有非线性光学材料层的光刻用掩膜制造技术

一种含有非线性光学材料层的光刻用掩膜，包括保护层（１）、非线性光学材料层（２）和保护层（３）其特征在于所述的保护层（１）和保护层（３）均由氮化硅或硫化锌和二氧化硅的混合材料构成；所述的非线性光学材料层（２）由铋构成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻
，是一种含有非线性光学材料层的光刻用掩膜。
技术介绍
集成电路(IC)集成度的不断提高使高密度、高速度和超高频器件不断出现，促进了以计算机、网络技术、多媒体传播等为代表的信息技术的发展。能够把集成电路的集成度越做越高，完全得益于微细加工技术，特别是光学光刻技术的不断进步。然而传统的光学光刻即将达到它的极限，由瑞利分辨率公式R～λ/NA可知，分辨率(R)的提高可以通过增大光刻物镜的数值孔径(NA)和缩短曝光波长(λ)来实现。目前先进的光刻物镜的数值孔径已提高到0.8以上，曝光波长从4 36nm，365nm缩短到248nm，193nm、157nm甚至126nm。然而，波长的减小和数值孔径的增大是以焦深和视场范围的缩小为代价的，使高分辨率的优点不能充分利用；与此同时，相配套的光源、刻蚀剂、工艺和透镜材料等诸多问题也为技术的实用化增加了难度。采用超分辨掩膜技术可以在不增加NA和减小波长的情况下得到小于衍射极限尺寸的光斑，从而获得更细的光刻线宽。在涂于硅片上的光刻胶上面用蒸镀法镀了一层铟(In)，能量呈高斯分布的聚焦光斑中心部分的温度高而使铟熔化，熔化区域要小于光斑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有非线性光学材料层的光刻用掩膜，包括保护层(1)、非线性光学材料层(2)和保护层(3)其特征在于所述的保护层(1)和保护层(3)均由氮化硅或硫化锌和二氧化硅的混合材料构成；所述的非线性光学材料层(2)由铋构成。2.根据权利要求1所述的光刻用掩膜，其特征在于所述的保护层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，王阳，徐文东，干福熹，张研研，魏劲松，高秀敏，周飞，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：