本发明专利技术提供一种无机中红外非线性光学晶体材料，其化学式为Rb2CdBr2I2，上述材料的晶体空间群为Ama2，晶胞参数为a=11.764(8)Å,b=12.025(8)Å,c=8.446(6)Å,α=β=γ=90°,Z=4。本发明专利技术还提供了上述晶体材料的制备方法，本发明专利技术制得的晶体材料具有以下特点：1.具有较强的能相位匹配的倍频效应（SHG)，Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾（KDP)的4倍；2.激光损伤阈值达到190MW/cm2,是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的6倍。3.化合物在可见光区和中红外光区有很宽的透过范围，完全透过波段为0.4-14微米；4.不含结晶水，对空气稳定，且热稳定性较好；5.可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种中红外非线性光学晶体材料，其特征在于：化学式为Rb2CdBr2I2，晶体空间群为Ama2，晶胞参数为a = 11.764(8) Å、 b = 12.025(8) Å、 c = 8.446(6) Å、 α = β = γ = 90◦、 Z = 4。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴奇，秦金贵，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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