【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及如太阳能电池或传感器的光电转换元件，为了增加转换效率该光电转换元件具有多个半导体结并且考虑长期户外使用，具有覆盖光电转换部分的保护件以便抑制光退化；并且涉及使用该光电转换元件的建筑材料和发电装置。
技术介绍
各种光电转换元件迄今已用作电动机械和装置的独立电源或者用作系统电力的替代能源。然而，每个由这种光电转换元件产生的能量的成本仍很高，特别是供系统电力的替代物用，目前对其研究和开发仍很活跃。例如，至于光电转换部分自身的材料，存在的技术有如单晶硅或多晶硅的晶体材料以及使用非晶硅或化合物半导体的所谓薄膜材料。另一技术是通过多个半导体结构成的光电转换部分的层结构来提高转换效率，例如美国专利No.5,298,086中所述。低成本制造光电转换元件的技术之一是使用不锈钢的轧制基底并且利用增加淀积速率的微波在其上连续地形成半导体薄层的薄膜半导体制造技术。另一技术是通过在半导体结层上设置也用作电极的抗反射层来有效地利用光。此外，不仅对光电转换部分，而且对足够实际使用的产品形成，耐用性和连接到系统电力的方法来说，各种技术是必须的，其研究开发正在进行。特别是，太阳能...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且在特定波长范围内具有低透光率的表面材料设在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上并且其中在长期使用期间在通过所述表面材料的光照射下由所述多个半导结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。2.根据权利要求1的光电转换元件，其中具有最好特性的半导体结的i层由非单晶硅构成并且其它半导体结的i层由非单晶硅锗构成。3.根据权利要求1的光电转换元件，其中具有最好特性的半导体结的i层是由高频功率制造以及其它半导体结的i层由微波功率制造。4.根据权利要求1的光电转换元件，其中具有最好特性的半导体结的i层淀积速率小于其它半导体结的i层淀积速率。5.根据权利要求1的光电转换元件，其中在具有最好特性的半导体结的i层中悬空键密度小于其它半导体结的i层中悬空键密度。6.根据权利要求1的光电转换元件，其中具有最好特性的半导体结的光退化小于其它半导体结的光退化。7.根据权利要求1的光电转换元件，其中具有最好特性的半导体结的i层的自旋密度小于其它半导体结的i层...
【专利技术属性】
技术研发人员：塩崎笃志，齐藤惠志，金井正博，大利博和，冈田直人，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：
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