半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，能够用较少的工序形成ＭＩＭ型电容元件，同时提供一种具有电阻值的偏差或者寄生电阻较少的电阻体。半导体器件，包括：在形成在衬底上的绝缘膜２上按从下往上的顺序叠层起来的阻挡金属膜６及由ＡｌＣｕ膜８及ＴｉＮ膜９形成的布线１０ｂ、１０ｃ，以及包括由阻挡金属膜６形成的电容器下方电极、由形成在电容器下方电极上的ＳｉＯ↓［２］膜７形成的电容器绝缘膜、由形成在ＳｉＯ↓［２］膜７上的ＡｌＣｕ膜８及ＴｉＮ膜９形成的电容器上方电极的电容元件１０ａ。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及具有用在MIM(Metal-Insulator-Metal)型电容元件及模拟电路等上的电阻体的。
技术介绍
在含有模拟系电路的半导体集成电路装置中，一般情况都装载有在电容器上方电极和电容器下方电极之间具有电容器绝缘膜的MIM型电容元件或者为被动元件的电阻体。图9为显示用在模拟电路中的现有MIM型电容元件的结构的剖面图。如图9所示，在半导体衬底100上形成有由第1导电膜101形成的电容器下方电极101a及由第1导电膜101形成的第1布线101b。依次形成有在为覆盖电容器下方电极101a及第1布线101b而形成的层间绝缘膜102上有开口、且为覆盖与电容器下方电极101a的上面连通的开口面积较大的开口部102a的至少底面及侧面的电容器绝缘膜103及由第2导电膜104形成的电容器上方电极104a。而且，还形成有在为覆盖电容器下方电极101a及第1布线101b而形成的层间绝缘膜102及该层间绝缘膜102上的电容器绝缘膜103上有开口、且为将与第1布线101b的上面连通的接触孔102b埋好而由第2导电膜104形成的接触(contact)102c及由第2导电膜104本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：包括：布线，其由在形成在衬底上的绝缘膜上按从下往上的顺序叠层起来的第１导电膜及第２导电膜形成；以及电容元件，其包括：由所述第１导电膜形成的电容器下方电极、形成在所述电容器下方电极上的电容器 绝缘膜、以及形成在所述电容器绝缘膜上由所述第２导电膜形成的电容器上方电极。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-31 2003-0942131.一种半导体器件，其特征在于包括布线，其由在形成在衬底上的绝缘膜上按从下往上的顺序叠层起来的第1导电膜及第2导电膜形成；以及电容元件，其包括由所述第1导电膜形成的电容器下方电极、形成在所述电容器下方电极上的电容器绝缘膜、以及形成在所述电容器绝缘膜上由所述第2导电膜形成的电容器上方电极。2.一种半导体器件，其特征在于包括布线，其由在形成在衬底上的绝缘膜上按从下往上的顺序叠层起来的第1导电膜及第2导电膜形成；电容元件，其包括由所述第1导电膜形成的电容器下方电极、形成在所述电容器下方电极上的电容器绝缘膜、以及形成在所述电容器绝缘膜上由所述第2导电膜形成的电容器上方电极；以及中继电极，其由所述第1导电膜及所述第2导电膜形成，并通过所述第1导电膜与所述电容器下方电极连接，进行电中继。3.一种半导体器件，其特征在于包括布线，其由在形成在衬底上的绝缘膜上按从下往上的顺序叠层起来的第1导电膜及第2导电膜形成；电阻体，其由形成在所述绝缘膜上的所述第1导电膜形成。4.一种半导体器件，其特征在于包括布线，其由在形成在衬底上的绝缘膜上按从下往上的顺序叠层起来的第1导电膜及第2导电膜形成；电容元件，其包括由所述第1导电膜形成的电容器下方电极、形成在所述电容器下方电极上的电容器绝缘膜、以及形成在所述电容器绝缘膜上由所述第2导电膜形成的电容器上方电极；以及电阻体，其由形成在所述绝缘膜上的所述第1导电膜形成。5.根据权利要求1～4中之任一权利要求所述的半导体器件，其特征在于所述第1导电膜由金属氮化物制成。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述第2导电膜由铝合金制成。7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括在形成在衬底上的绝缘膜上依次沉积第1导电膜和电容器绝缘膜的工序；对所述电容器绝缘膜有选择地进行蚀刻而让所述电容器绝缘膜残留在形成电...

【专利技术属性】
技术研发人员：江头恭子，桥本伸，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]