【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及形成含有金属的材料的方法，如电容器电极。本法明还涉及电容器结构。
技术介绍
电容器结构被用在众多的半导体结构中，例如存储器阵列。一个典型的存储器阵列是动态随机存取存储器(DRAM)阵列，阵列的单独DRAM单元包括一个电容器器和一个晶体管。电容器结构包括一个第一导电电容器电极和一个第二导电电容器电极，二者之间用介电材料隔开。在所有成分中适于用作电容器电极的是金属，如铂、铑、铱、钌等。通过将金属有机母体材料暴露在一个氧化的气体中(例如O2、O3和/或N2O)将母体分解并释放出金属而使得金属沉积。释放出来的金属沉积在基底上形成一层金属薄膜，该金属薄膜最后结合到电容器器件上作为电容器电极。在氧化金属有机母体过程中有一个难题，结合在半导体基底上的材料被暴露在氧化气体中，它们自身在金属有机母体的降解过程中也会被氧化或者以其它方式被降解。因此，希望能有另外一种不同于氧化金属有机母体的在半导体基底上形成金属材料的方法，
技术实现思路
一方面，本专利技术包括一种用来形成一种用于半导体结构的含有金属的物质的方法。提供一半导体基底，并靠近基底提供金属有机母体。该母体被暴露...
【技术保护点】
一种用来形成用于半导体结构的含有金属的物质的方法，包括：提供一半导体基底；靠近基底提供一个或者更多个金属有机母体，上述一个或者更多个母体中至少有一个不含铂；将一个或者更多的母体暴露在还原气体中使金属从一个或者更多的母 体中释放出来；和将被释放出来的金属沉积在半导体基底上，从而在半导体基底上形成含有金属的物质。
【技术特征摘要】
US 2001-8-16 09/932,2361.一种用来形成用于半导体结构的含有金属的物质的方法，包括提供一半导体基底；靠近基底提供一个或者更多个金属有机母体，上述一个或者更多个母体中至少有一个不含铂；将一个或者更多的母体暴露在还原气体中使金属从一个或者更多的母体中释放出来；和将被释放出来的金属沉积在半导体基底上，从而在半导体基底上形成含有金属的物质。2.如权利要求1所述的方法，其中基底包括由氮化钛(TIN)、元素钛、氮化钨(WN)、元素钨、氮化钽和元素钽中一种或者更多组成的上表面；其中，在形成含有金属的物质时上表面被暴露在还原气体中。3.如权利要求1所述的方法，其中基底包括一个可氧化的上表面；其中，形成的含有金属的物质与上表面物理上靠接；在释放至少某些金属时，可氧化的上表面被暴露在还原气体中。4.如权利要求1所述的方法，其中基底包括由氮化钛(TIN)、元素钛、氮化钨(WN)、元素钨、氮化钽和元素钽中一种或者更多组成的上表面；其中，形成的含有金属的物质与上表面物理上靠接。5.如权利要求1所述的方法，其中一个或者更多的母体含有钌，并且释放出来的金属基本由钌组成。6.如权利要求1所述的方法，其中一个或者更多的母体含有铑，并且释放出来的金属基本由铑组成。7.如权利要求1所述的方法，其中一个或者更多的母体含有铱，并且释放出来的金属基本由铱组成。8.如权利要求1所述的方法，其中一个或者更多的母体含有钴，并且释放出来的金属基本由钴组成。9.如权利要求1所述的方法，其中一个或者更多的母体含有钯，并且释放出来的金属基本由钯组成。10.如权利要求1所述的方法，其中一个或者更多的母体含有镍，并且释放出来的金属基本由镍组成。11.如权利要求1所述的方法，其中一个或者更多的母体含有三碳酰基环己二烯钌。12.如权利要求1所述的方法，其中还原气体包括NH3。13.如权利要求1所述的方法，其中还原气体包括活性氢。14.如权利要求1所述的方法，其中还原气体由H2组成。15.一种用来形成用于半导体结构的含有金属的物质的方法，包括提供一半导体基底；靠近基底提供含有金属的母体；将含有金属的母体暴露在NH3中，以将金属从母体中释放出来；和将释放出来的金属沉积在半导体基底上，以形成含有金属的物质。16.如权利要求15所述的方法，其中母体所暴露的气体由NH3组成，用来将金属从母体中释放出来。17.如权利要求15所述的方法，其中母体含有钌，并且释放出来的金属基本由钌组成。18.如权利要求15所述的方法，其中母体含有铑，并且释放出来的金属基本由铑组成。19.如权利要求15所述的方法，其中母体含有铱，并且释放出来的金属基本由铱组成。20.如权利要求15所述的方法，其中母体含...
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