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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够用较少的工序形成ＭＩＭ型电容元件，同时提供一种具有电阻值的偏差或者寄生电阻较少的电阻体。半导体器件，包括：在形成在衬底上的绝缘膜２上按从下往上的顺序叠层起来的阻挡金属膜６及由ＡｌＣｕ膜８及ＴｉＮ膜...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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