基板温度测定方法技术

从某一侧面看到的本发明专利技术的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的ＣＶＤ（化学水蒸气沉积）装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时，在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光，获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述ＣＶＤ装置在基板上形成薄膜时，测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系，从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化，推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在现场监控CVD装置的反应炉内基板上的薄膜厚度的膜厚监控方法和采用扩散炉内的的、薄膜厚度控制。
技术介绍
下面，说明现场监控在CVD装置的炉内成膜的膜厚的现有膜厚监控方法(第1现有技术)。过去，在半导体装置的制造中，使用CVD(化学水蒸气沉积)装置在半导体基板(薄片)上形成薄膜。然而，在CVD装置中要求高温的热工序，当由该CVD装置形成薄膜时，没有在现场对膜厚进行监控的方法。因此，在现状下，一般是按以下那样的方法测定膜厚。首先，同时或连续地将试验用的薄片成膜。然后，取出该试验用的薄片，另行通过膜厚测定装置测定膜厚。下面，说明现有扩散炉内的(第2现有技术)过去，为了不污染基板地测定扩散炉(热处理炉)内的基板温度，有通过玻璃纤维取出基板的辐射光后用辐射温度计进行测定的方法。在片叶型的热处理炉中，可使用该方法进行温度测定。然而，在上述第1现有技术中，成膜过程中不能在现场得知膜厚，而是仅可在成膜后确认膜厚。为此，即使在成膜时由于某种原因形成与目标膜厚不同的膜厚，也不能事先避免形成不同的膜厚。另外，在上述第2现有技术中，在通常用于门氧化膜的形成的间歇式扩散炉中，由于在制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板温度测定方法，其包括以下过程：圆柱杆状玻璃纤维具有一方的前端部和另一方的前端部，并且使形成于上述一方前端部的平坦面与垂直于作为温度测定对象的基板的主表面的侧面对置地配置上述玻璃纤维，而上述玻璃纤维在上述一方的前端部具有相对上述玻璃纤维的中心轴平行的上述平坦面和相对上述玻璃纤维的中心轴倾斜地切成的斜面；从上述平坦面将从上述基板的侧面辐射的光取入到玻璃纤维内，在上述一方的前端部的上述斜面使其反射，将其引导至上述另一方的前端部。

【技术特征摘要】
JP 2001-3-28 094164/20011.一种基板温度测定方法，其包括以下过程圆柱杆状玻璃纤维具有一方的前端部和另一方的前端部，并且使形成于上述一方前端部的平坦面与垂直于作为温度测定对象的基板的主表面的侧面对置地配置上述玻璃纤维，而上述玻璃纤维在上述一方的前端部具有相对上述玻璃纤维的中心轴平行的上述平坦面和相对上述玻璃纤维的中心轴倾斜地切成的斜面；从上述平坦面将从上述基板的侧面辐射的光取入到玻璃纤维内，在上述一方的前端部的上述斜面使其反射，将其引导至上述另一方的前端部。2.根据权利要求1所述的基板温度测定方法，其中，作为上述温度测定对象的基板为配置于间歇式扩散炉内的多个基板中的1个。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤堀浩史，佐俣秀一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]