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基板温度测定方法技术
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文档序号:3206598
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从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时,在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光,获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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