【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及一种薄膜晶体管阵列基板(薄膜晶体管数组基板)(ThinFilm Transistor array substrate，TFT array substrate)的制造方法，特别是涉及一种可避免金属层与保护层在重工时受到破坏的。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay panel，TFT LCD panel)主要是由薄膜晶体管阵列基板(薄膜晶体管数组基板)、彩色滤光阵列(数组)基板(Color filter array substrate)和液晶层所构成，其中薄膜晶体管阵列基板是由多个以阵列(数组)排列的薄膜晶体管，以及与每一薄膜晶体管对应配置的一画素电极(PixelElectrode)所组成。而上述的薄膜晶体管是包括闸极(Gate)、通道层(Channel)、汲极(Drain)与源极(Source)，薄膜晶体管是用来作为液晶显示单元的开关组件。薄膜晶体管组件的操作原理与传统的半导体MOS组件相类似，都是具有三个端子(闸极、汲极以及源极)的组件。通常薄膜晶体管组件可分成...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤提供一基板，具有一画素区与一焊垫区，该画素区上至少配置有多数条扫描配线、多数条数据配线与多数个具有一闸极、一源极以及一汲极的薄膜晶体管，且该焊垫区上至少配置有多数个焊垫；在该基板上方形成一保护层；在该保护层上形成一平坦层，该平坦层具有多数个第一开口与多数个第二开口，该些第一开口是位于该些汲极上方，该些第二开口是位于该些焊垫上方，其中位于该画素区的该平坦层具有一第一厚度，而位于该焊垫区的该平坦层具有一第二厚度，且该第一厚度是大于该第二厚度；以该平坦层为罩幕，移除该些第一开口以及该些第二开口所暴露出的材料层，直到暴露出该些汲极与该些焊垫；以及在该平坦层上形成多数个画素电极以及多数个电极材料层，其中该些画素电极是与该些汲极电性连接，而该些电极材料层是与该些焊垫电性连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中在移除该些第一开口与该些第二开口所暴露出的材料层前，该平坦层的该第一厚度是介于2～6微米，该平坦层的该第二厚度是介于0.3～1.4微米。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中在移除该些第一开口与该些第二开口所暴露出的材料层后，该平坦层的该第二厚度是小于0.8微米。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中所述的形成该平坦层的方法包括形成一感光型介电层；以及使用一半调式光罩对该感光型介电层进行一次曝光制程。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中所述的半调式光罩为条纹状半调式光罩、网状半调式光罩或点状半调式光罩。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中所述的形成该平坦层的方法包括形成一介电层；形成一图案化光阻层于该介电层上，该图案化光阻层具有多数个第三开口与多数个第四开口，该些第三开口是位于该些汲极上方，该些第四开口是位于该些焊垫上方，其中位于该画素区的该图案化光阻层具有一第三厚度，而位于该焊垫区的该图案化光阻层具有一第四厚度，且该第三厚度是大于该第四厚度；以该图案化光阻层为罩幕，移除未被该图案化光阻层所覆盖的该介电层，以形成该平坦层；以及移除该图案化光阻层。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中所述的图案化光阻层的形成方法包括形成一光阻材料层于该介电层上；以及使用一半调式光罩对该光阻材料层进行一次曝光制程，以形成该图案化光阻层。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中所述的半调式光罩为条纹状半调式光罩、网状半调式光罩或点状半调式光罩。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中所述的图案化光阻层的形成方法包括形成一光阻材料层于该介电层上；以及对该光阻材料层进行多数次曝光制程，以形成该图案化光阻层。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其中所述的形成该平坦层的方法包括形成一感光型介电层；以及对该感光型介电层进行多数次曝光制程，以形成该平坦层。11.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤提供一基板，该基板具有一画素区与一焊垫区；在该画素区上形成多数条扫描配线与多数个闸极，且在该焊垫区形成多数个第一焊垫，该些闸极与该些第一焊垫是分别电性连接至该些扫...
【专利技术属性】
技术研发人员：李淑琴，黄国有，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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