【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电探测器的结构及制作方法，特别涉及一种与深亚微米射频标准互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺完全兼容的硅基光电探测器结构。
技术介绍
目前主流接收机均为化合物光电探测器，它与硅基接收机专用集成电路之间用金属线键合(WIRE BONDING)混合集成。混合集成使探测器附近的表面有凸出的压焊线，限制了光纤耦合的活动范围，并且通常一个压焊盘的面积为100×100μm2，产生了较大的寄生电容。本专利技术不仅可以实现光接收机全硅化的单片集成，而且可以和高速CMOS电路，如射频集成电路(RFIC)实现全兼容。这使得光接收机的功能将更加灵活，接收模块的器件成本和封装成本会大幅降低，去掉压焊线后在光纤耦合时耦合会更容易，能降低耦合成本，容易工业化。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中存在的不足，提供一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。本专利技术与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器，包括一个p-型半导体衬底，其特征在于，所述p-型半导体衬底内设置有一个深n型阱，n型阱设置于所述衬底上，浅沟...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器，包括一个p-型半导体衬底，其特征在于，所述p-型半导体衬底内设置有一个深n型阱，n型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于n型阱中，四条叉指状的P+型扩散区设置在n型阱上；所述四条叉指状的P+型扩散区上设置有增透膜层由叉指状的P+型扩散区与n型阱构成光电二级管的pn结，由n型阱与P+型保护环构成...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛陆虹，李炜，陈弘达，陈永权，张晓潇，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：
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