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一种与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器，包括一个ｐ↑［－］型半导体衬底，其特征在于，所述ｐ↑［－］型半导体衬底内设置有一个深ｎ型阱，ｎ型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于ｎ型阱中，四条叉指状的Ｐ↑［＋］型扩散区设置在ｎ型阱上；所述四条...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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