一种微条粒子探测器及其制备方法技术

一种微条粒子探测器，包括衬底（１）及其表面涂层（２）以及顶电极（３）和背电极（４），其特征在于，衬底（１）采用［１００］硅片；在该衬底（１）的上表面是［１００］晶面的金刚石薄膜涂层（２）；在金刚石薄膜涂层（２）表面的是顶电极（３），该顶电极（３）是由铬金复合而成，并经光刻处理成条宽和间距均为１０～５０μｍ的微条电极，每条微条电极有镁铝丝引线引出，其中紧贴金刚石薄膜涂层（２）的是铬电极；衬底（１）的下表面是背电极（４），该背电极（４）也是铬金复合电极，其中靠近衬底（１）的是铬电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种以硅片上定向生长(100)晶面金刚石薄膜为基体材料制成的微条粒子探测器及其制备方法。
技术介绍
半导体探测器是20世纪60年代以来得到迅速发展的一种新型核辐射探测元件，它的特点是能量分辨率高，线性响应好，脉冲上升时间短，结构简单，探测效率高，工作电压低，操作方便。自1949年美国贝尔电信电话实验室首次利用锗半导体探测粒子以后，这种探测器立刻引起世界各国的瞩目。70年代起，随着硅材料的制备工艺和半导体平面工艺的不断改进，使硅探测器得到了很快的发展。硅探测器是唯一适于宽能谱同时分析的探测器，因此在粒子物理的探测技术中得到了广泛的应用。但是在强的辐射环境中，硅晶格易受到辐射损伤，使探测器的漏电流增加，性能下降。另外由热激发产生的本征导电性是随温度按指数增加的，由于硅的禁带宽度较小，因此由硅材料制造的器件不适合工作在高于150℃的环境中。由于金刚石的诸多优异性质，如禁带宽度大(约5.5eV)、辐射强度高、良好的化学和温度稳定性等，使其可以取代硅在极限条件下工作。可是探测器级的天然金刚石价格昂贵、可再生性差，限制了它作为辐射探测器的应用。近年来，由于化学气相沉积法(CVD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王林军，夏义本，沈沪江，张明龙，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：