【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高性能室温半导体x射线和y射线辐射检测器及其制 造方法。尽管本专利技术将结合半绝缘的C4Zn^Te (0《x《l)辐射检测器 进行描述，但是本专利技术适于任何具有半绝缘性质的第II至第VI族化合 物。因此，本专利技术适用于任何非线性或电子光学装置，也适用于任何 需要使用半绝缘或高电阻的半导体材料的应用。0 < x < 1的浓度或摩尔 比例范围包括具有任意百分比的Zn的CdZnTe，且包括CdTe ( x=l )和 ZnTe ( x=0 )。
技术介绍
如图1所示，典型的现有技术辐射检测器1包括由适当的第II至 第VI族化合物形成的衬底2 (例如CdZnTe晶体)，覆盖衬底2的一个 面的连续电极4，在衬底2的侧面的周围形成导电带的侧电极6，以及 在衬底2与连续电极4相对的面上的一个或者多个分段电极8。为了 描述现有4支术和本专利技术，辐射检测器1和辐射检测器1，(这里所描述 的)将被描述为具有多个分段电极8。然而，这并不能理解为对本发 明的限制，因为如果需要则辐射检测器1和/或辐射检测器l'也可只包 括一个电极8。在使用时，检测器1典型地...
【技术保护点】
一种辐射检测器，包括： 晶体衬底，其由第Ⅱ至第Ⅵ族化合物形成； 第一电极，覆盖所述衬底的一个表面的大部分； 间隔开的多个第二电极，其位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上；以及 钝化层，其位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上的多个第二电极之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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