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高性能CdxZn1-xTe X射线和γ射线辐射检测器及其制造方法技术
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文档序号:2657281
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本发明涉及辐射检测器,其包括由第Ⅱ至第Ⅵ族化合物形成的晶体衬底和覆盖所述衬底的一个表面的相当大一部分的第一电极。设置位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上的间隔开的多个第二分段电极。在所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上的多个第二电极...
该专利属于Ⅱ-Ⅵ有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过Ⅱ-Ⅵ有限公司授权不得商用。
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