抗反射硬掩膜及其应用制造技术

本发明专利技术提供了抗反射硬掩膜组合物以及将该抗反射硬掩膜组合物用于加工半导体器件的技术。本发明专利技术的一个方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜层。抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。本发明专利技术的另一个方面提供了加工半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在基材上提供材料层；在材料层上形成抗反射硬掩膜层。所述抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体地说，本专利技术涉及抗反射硬掩膜组合物以及使用抗反射硬掩膜组合物处理半导体器件的技术。
技术介绍
在微电子工业以及在其它涉及构造微观结构例如微型电机和磁阻头的工业中，需要进一步减小结构特征的尺寸。尤其是在微电子工业中，在微电子器件的尺寸正逐渐减小的同时，需要在给定晶片尺寸上提供更大量的电路。有效的平版印刷技术对于减小结构特征的尺寸是必需的。平版印刷技术不仅在所需基片上的直接成像方面影响微观结构的制造，而且在制备通常用于这种成像的掩膜方面影响微观结构的制造。大多数的平版印刷方法均使用抗反射涂层(ARC)，以将图像层如对辐射敏感的抗蚀剂材料层与底层之间的反射率降至最小，从而提高分辨率。然而，由于所述各层的类似元素组成，这些ARC材料使得图像层具有较差的蚀刻选择性。因此，在形成图案后的ARC的蚀刻过程中，还消耗许多图像层，所述的图像层可能是在随后的蚀刻步骤中另外的图案化所需要的。另外，对于某些平版印刷技术，所使用的对辐射敏感的抗蚀剂材料没有为随后的蚀刻步骤提供足以能够将所需的图案转移到位于对辐射敏感的抗蚀剂材料下面的层内的抗蚀性。在许多例子中，例如在使用超本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于平版印刷的抗反射硬掩膜层，其包含：包含至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链；和交联组分。

【技术特征摘要】
US 2003-8-22 10/646,3071.一种用于平版印刷的抗反射硬掩膜层，其包含包含至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链；和交联组分。2.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中碳硅烷聚合物主链包含含SiO单元。3.权利要求2所述的抗反射硬掩膜层，其中碳硅烷聚合物主链包含的碳硅烷单元多于含SiO单元。4.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其还包含辅助交联组分。5.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中碳硅烷聚合物主链包含不饱和碳-碳键。6.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中碳硅烷聚合物主链包含饱和碳-碳键。7.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其包含约50wt％至约98wt％的碳硅烷聚合物主链，基于固体计。8.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其包含约70wt％至约80wt％的碳硅烷聚合物主链，基于固体计。9.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中各生色团部分包含选自苯基、类、芘类、荧蒽类、蒽酮类、二苯甲酮类、噻吨酮类、蒽类、蒽衍生物、9-蒽甲醇、酚噻嗪、含有不饱和碳-碳双键的非芳香族化合物、含有饱和碳-碳键的化合物的部分以及包含至少一种前述部分的组合物。10.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中碳硅烷聚合物主链对于一个或多个波长的辐射是透明的。11.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中各透明部分对于157纳米的辐射是透明的。12.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中给定数目的所述至少一种透明部分包含有机部分。13.权利要求12所述的抗反射硬掩膜层，其中给定数目的所述至少一种透明部分包含氟碳取代基。14.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其中交联组分包含选自甘脲、醇类、芳香醇、羟基苄基、酚、羟甲基苄基、脂环族醇、脂肪醇、环己醇、丙醇、非环状醇类、氟碳醇类、乙烯基醚、环氧化物的交联基团以及包含至少一种前述交联基团的组合物。15.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其包含约1wt％至约50wt％的交联组分，基于固体计。16.权利要求1所述的抗反射硬掩膜层，其包含约3wt％至约25wt％的交联组分，基于固体计。17.权利要求4所述的抗反射硬掩膜层，其中辅助交联组分包含选自甘脲、甲基醚化甘脲、丁基醚化甘脲、四甲氧基甲基甘脲、甲基丙基四甲氧基甲基甘脲、甲基苯基四甲氧基甲基甘脲、2，6-二(羟甲基)-对甲酚、醚化的氨基树脂、甲醇醚化三聚氰胺树脂、N-甲氧基甲基-三聚氰胺、丁醇改性的三聚氰胺树脂、N...

【专利技术属性】
技术研发人员：K巴比驰，E黄，AP马赫罗瓦拉，DR梅德罗斯，D皮菲福尔，K坦姆普勒，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]